ホーム > 特許ランキング > アイクストロン、エスイー > 2013年 > 出願公開一覧
アイクストロン、エスイー
※ ログインすれば出願人(アイクストロン、エスイー)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2013年 出願公開件数ランキング 第2668位 8件
（
2012年：第4129位 4件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第2688位 7件
（2012年：第9669位 1件）
（ランキング更新日：2026年3月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年
アイクストロン、エスイーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-543932 | 温度勾配を高めた化学気相成長（ＴＧＥ−ＣＶＤ） | 2013年12月 9日 | |
| 特開 2013-207301 | ＣＶＤ反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法 | 2013年10月 7日 | |
| 特表 2013-526017 | 複数のプロセスチャンバーにて複数の半導体層を同時に堆積する装置及び方法 | 2013年 6月20日 | |
| 特表 2013-519794 | コーティング装置及び遮蔽プレートを有するコーティング装置の操作方法 | 2013年 5月30日 | |
| 特表 2013-507779 | 複数のゾーンから成るガスクッション上に置かれている基板ホルダを備えるＣＶＤ反応炉 | 2013年 3月 4日 | |
| 特表 2013-503976 | ＣＶＤ反応炉 | 2013年 2月 4日 | |
| 特表 2013-503464 | ＣＶＤ方法およびＣＶＤ反応炉 | 2013年 1月31日 | |
| 特表 2013-502747 | 帯状に延在するガス入口区域を有するＣＶＤ反応炉及びＣＶＤ反応炉内の基板上に層を堆積する方法 | 2013年 1月24日 |
8 件中 1-8 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2013-543932 2013-207301 2013-526017 2013-519794 2013-507779 2013-503976 2013-503464 2013-502747
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。アイクストロン、エスイーの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
3月30日(月) - オンライン
3月30日(月) - オンライン
3月31日(火) - オンライン
3月31日(火) - オンライン
4月1日(水) - オンライン
4月1日(水) - オンライン
4月2日(木) - オンライン
4月2日(木) - オンライン
3月30日(月) - オンライン
4月6日(月) - オンライン
4月7日(火) - オンライン
4月7日(火) - オンライン
4月8日(水) - オンライン
4月8日(水) - オンライン
4月9日(木) - オンライン
4月9日(木) - オンライン
4月10日(金) - 東京 千代田区
4月10日(金) - オンライン
4月10日(金) - オンライン
4月10日(金) - オンライン
4月6日(月) - オンライン
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
東京都外神田４－１４－２ 東京タイムズタワー２７０３号室 特許・実用新案 鑑定
〒220-0004 横浜市西区北幸１－５－１０ ＪＰＲ横浜ビル８階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒460-0003 愛知県名古屋市中区錦1-11-11 名古屋インターシティ16F 〒104-0061 東京都中央区銀座8-17-5 THE HUB 銀座OCT 407号室(東京支店) 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
