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アイクストロン、エスイー
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第2668位 8件
（
2012年：第4129位 4件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第2688位 7件
（2012年：第9669位 1件）
（ランキング更新日：2025年12月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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アイクストロン、エスイーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2013-543932 | 温度勾配を高めた化学気相成長（ＴＧＥ−ＣＶＤ） | 2013年12月 9日 | |
| 特開 2013-207301 | ＣＶＤ反応室のプロセスチャンバの壁の洗浄方法 | 2013年10月 7日 | |
| 特表 2013-526017 | 複数のプロセスチャンバーにて複数の半導体層を同時に堆積する装置及び方法 | 2013年 6月20日 | |
| 特表 2013-519794 | コーティング装置及び遮蔽プレートを有するコーティング装置の操作方法 | 2013年 5月30日 | |
| 特表 2013-507779 | 複数のゾーンから成るガスクッション上に置かれている基板ホルダを備えるＣＶＤ反応炉 | 2013年 3月 4日 | |
| 特表 2013-503976 | ＣＶＤ反応炉 | 2013年 2月 4日 | |
| 特表 2013-503464 | ＣＶＤ方法およびＣＶＤ反応炉 | 2013年 1月31日 | |
| 特表 2013-502747 | 帯状に延在するガス入口区域を有するＣＶＤ反応炉及びＣＶＤ反応炉内の基板上に層を堆積する方法 | 2013年 1月24日 |
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2013-543932 2013-207301 2013-526017 2013-519794 2013-507779 2013-503976 2013-503464 2013-502747
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