特許ランキング - 出願人詳細情報 -

東京応化工業株式会社

※ ログインすれば出願人(東京応化工業株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2013年出願公開件数ランキング　　　第230位　206件（2012年：第333位　124件）

　■　2013年特許取得件数ランキング　　　第194位　216件（2012年：第259位　143件）

（ランキング更新日：2024年9月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年

東京応化工業株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称	公報発行日	備考
特許 5238354	レジストパターン形成方法	2013年 7月17日
特許 5237743	レジスト下層膜形成用組成物	2013年 7月17日
特許 5231072	被膜形成方法	2013年 7月10日	共同出願
特許 5231863	導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法	2013年 7月10日	共同出願
特許 5231785	リチウム二次電池用負極基材	2013年 7月10日	共同出願
特許 5232675	ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物	2013年 7月10日
特許 5232663	レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物	2013年 7月10日
特許 5230400	樹脂の製造方法	2013年 7月10日
特許 5227701	基板処理システム	2013年 7月 3日
特許 5227846	ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物	2013年 7月 3日
特許 5227656	ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物	2013年 7月 3日
特許 5227818	被覆パターン形成方法、レジスト被覆膜形成用材料、レジスト組成物、パターン形成方法	2013年 7月 3日
特許 5227685	レジスト組成物およびレジストパターン形成方法	2013年 7月 3日
特許 5225555	液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法	2013年 7月 3日
特許 5227554	基板処理装置および基板処理方法	2013年 7月 3日

216 件中 136-150 件を表示

... 10

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

5238354 5237743 5231072 5231863 5231785 5232675 5232663 5230400 5227701 5227846 5227656 5227818 5227685 5225555 5227554

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。東京応化工業株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数