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東京応化工業株式会社
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第230位 206件
（
2012年：第333位 124件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第194位 216件
（2012年：第259位 143件）
（ランキング更新日：2025年6月2日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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東京応化工業株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5238354 | レジストパターン形成方法 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5237743 | レジスト下層膜形成用組成物 | 2013年 7月17日 | |
| 特許 5231072 | 被膜形成方法 | 2013年 7月10日 | 共同出願 |
| 特許 5231863 | 導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法 | 2013年 7月10日 | 共同出願 |
| 特許 5231785 | リチウム二次電池用負極基材 | 2013年 7月10日 | 共同出願 |
| 特許 5232675 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5232663 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5230400 | 樹脂の製造方法 | 2013年 7月10日 | |
| 特許 5227701 | 基板処理システム | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5227846 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5227656 | ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5227818 | 被覆パターン形成方法、レジスト被覆膜形成用材料、レジスト組成物、パターン形成方法 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5227685 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5225555 | 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | 2013年 7月 3日 | |
| 特許 5227554 | 基板処理装置および基板処理方法 | 2013年 7月 3日 |
216 件中 136-150 件を表示
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5238354 5237743 5231072 5231863 5231785 5232675 5232663 5230400 5227701 5227846 5227656 5227818 5227685 5225555 5227554
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