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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第158位 292件
(2011年:第145位 311件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第104位 399件
(2011年:第127位 281件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5053524 | 電子放出素子 | 2012年10月17日 | |
特許 5050124 | 燃料電池の構造体 | 2012年10月17日 | |
特許 5053151 | ガスセンサおよびNOxセンサ | 2012年10月17日 | |
特許 5049093 | ローラハースキルン | 2012年10月17日 | |
特許 5052790 | 研削方法 | 2012年10月17日 | |
特許 5044437 | 圧電/電歪磁器焼結体の製造方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5043203 | リチウム二次電池の正極活物質用の板状粒子、リチウム二次電池の正極活物質膜、これらの製造方法、リチウム二次電池の正極活物質の製造方法、及びリチウム二次電池 | 2012年10月10日 | |
特許 5044628 | コーティング体 | 2012年10月10日 | |
特許 5047660 | 圧電薄膜デバイス | 2012年10月10日 | |
特許 5044489 | ホール素子、ホールIC、およびホール素子の作製方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5044311 | 窒化物単結晶の育成方法 | 2012年10月10日 | |
特許 5046490 | 単結晶育成用の反応容器および単結晶の育成方法 | 2012年10月10日 | 共同出願 |
特許 5046324 | MgドープIII族窒化物半導体のP型導電性向上方法およびP型III族窒化物半導体の製造方法 | 2012年10月10日 | 共同出願 |
特許 5037877 | 選択透過膜型反応器及び水素ガスの製造方法 | 2012年10月 3日 | |
特許 5037809 | ハニカム構造体 | 2012年10月 3日 |
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5053524 5050124 5053151 5049093 5052790 5044437 5043203 5044628 5047660 5044489 5044311 5046490 5046324 5037877 5037809
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