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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第557位 64件 (2010年:第726位 51件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1078位 24件 (2010年:第1210位 18件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-142294 | 光デバイス及びその製造方法 | 2011年 7月21日 | |
特開 2011-138599 | SRAMワードラインカップリングノイズ制限 | 2011年 7月14日 | |
特開 2011-129929 | 電界効果トランジスタの金属ゲート構造 | 2011年 6月30日 | |
特開 2011-119646 | オーバーレイの方法及びその装置 | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-119724 | マルチフィン高さを有するFinFET | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-119741 | 集積回路 | 2011年 6月16日 | |
特開 2011-109055 | 半導体装置のパッド構造 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-109105 | 不均一な半導体装置のアクティブ領域パターン形成方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-109106 | 集積回路構造、及び集積回路の製造方法 | 2011年 6月 2日 | |
特開 2011-103450 | FINFETSおよびその形成方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103434 | 高移動度チャネル(High−MobilityChannels)を有する装置のソース/ドレイン工学 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103488 | メモリデバイス | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-103461 | 半導体ダイのコンタクト構造および方法 | 2011年 5月26日 | |
特開 2011-101020 | 集積回路および集積回路の製造方法 | 2011年 5月19日 | |
特開 2011-97058 | 異なる誘電材料を用いたインター装置STI領域とイントラ装置STI領域の形成 | 2011年 5月12日 |
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2011-142294 2011-138599 2011-129929 2011-119646 2011-119724 2011-119741 2011-109055 2011-109105 2011-109106 2011-103450 2011-103434 2011-103488 2011-103461 2011-101020 2011-97058
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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