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台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司

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  2017年 出願公開件数ランキング    第1555位 17件 上昇2016年:第2477位 8件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第2791位 5件 下降2016年:第1366位 15件)

(ランキング更新日:2025年3月26日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2017-195360 高さが増加したデータストレージ層を有する抵抗変化型メモリ装置 2017年10月26日
特開 2017-147016 抵抗型ランダムアクセスメモリセルの読み出し方法およびその装置 2017年 8月24日
特開 2017-147458 集積回路のトランジスタ構造 2017年 8月24日
特開 2017-135384 金属ブロックと接合パッド構造 2017年 8月 3日
特開 2017-120912 BSI接合能力改善のためのパッド領域下のサポート構造 2017年 7月 6日
特開 2017-120913 スタック集積回路のシールリング構造 2017年 7月 6日
特開 2017-120914 インターティア相互接続を有するスタック基板構造 2017年 7月 6日
特開 2017-120915 埋め込みフラッシュメモリセルの均一なトンネル誘電体の製造方法 2017年 7月 6日
特開 2017-103458 集積チップおよびその製造方法 2017年 6月 8日
特開 2017-92470 埋め込みフラッシュメモリの窒素フリースペーサあるいは酸化物スペーサ 2017年 5月25日
特開 2017-92471 RRAM構造の下電極 2017年 5月25日
特開 2017-92479 パッケージ、および、その伝送線の形成方法 2017年 5月25日
特開 2017-85091 グローバルシャッタースキームを有する背面照射(BSI)イメージセンサー 2017年 5月18日
特開 2017-85100 表面照射型イメージセンサ用パッド構造及びその形成方法 2017年 5月18日
特開 2017-76801 スプリットゲートフラッシュ技術におけるインタディジタルキャパシタ 2017年 4月20日

17 件中 1-15 件を表示

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2017-195360 2017-147016 2017-147458 2017-135384 2017-120912 2017-120913 2017-120914 2017-120915 2017-103458 2017-92470 2017-92471 2017-92479 2017-85091 2017-85100 2017-76801

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