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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1555位 17件 (2016年:第2477位 8件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第2791位 5件 (2016年:第1366位 15件)
(ランキング更新日:2024年9月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2017-195360 | 高さが増加したデータストレージ層を有する抵抗変化型メモリ装置 | 2017年10月26日 | |
特開 2017-147016 | 抵抗型ランダムアクセスメモリセルの読み出し方法およびその装置 | 2017年 8月24日 | |
特開 2017-147458 | 集積回路のトランジスタ構造 | 2017年 8月24日 | |
特開 2017-135384 | 金属ブロックと接合パッド構造 | 2017年 8月 3日 | |
特開 2017-120912 | BSI接合能力改善のためのパッド領域下のサポート構造 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-120913 | スタック集積回路のシールリング構造 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-120914 | インターティア相互接続を有するスタック基板構造 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-120915 | 埋め込みフラッシュメモリセルの均一なトンネル誘電体の製造方法 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-103458 | 集積チップおよびその製造方法 | 2017年 6月 8日 | |
特開 2017-92470 | 埋め込みフラッシュメモリの窒素フリースペーサあるいは酸化物スペーサ | 2017年 5月25日 | |
特開 2017-92471 | RRAM構造の下電極 | 2017年 5月25日 | |
特開 2017-92479 | パッケージ、および、その伝送線の形成方法 | 2017年 5月25日 | |
特開 2017-85091 | グローバルシャッタースキームを有する背面照射(BSI)イメージセンサー | 2017年 5月18日 | |
特開 2017-85100 | 表面照射型イメージセンサ用パッド構造及びその形成方法 | 2017年 5月18日 | |
特開 2017-76801 | スプリットゲートフラッシュ技術におけるインタディジタルキャパシタ | 2017年 4月20日 |
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2017-195360 2017-147016 2017-147458 2017-135384 2017-120912 2017-120913 2017-120914 2017-120915 2017-103458 2017-92470 2017-92471 2017-92479 2017-85091 2017-85100 2017-76801
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最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
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