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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第1239位 21件
(2013年:第1359位 21件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第716位 42件
(2013年:第636位 52件)
(ランキング更新日:2025年6月5日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2014-225686 | 裏面照射センサーの共注入システム | 2014年12月 4日 | |
特開 2014-225681 | ハニカムヘテロエピタキシーを含む半導体装置 | 2014年12月 4日 | |
特開 2014-220501 | ポリシリコン構造の真上の標準セル金属構造物 | 2014年11月20日 | |
特開 2014-220498 | 公称最小ピッチの非整数倍であるセル高さを有するスタンダードセル | 2014年11月20日 | |
特開 2014-199942 | バルクFinFET中のSiフィンのフィン下部近くのSTI形状 | 2014年10月23日 | |
特開 2014-179989 | センサーシステム及びセンサーに用いるデータアウト信号生成方法 | 2014年 9月25日 | |
特開 2014-175045 | MRAM感知基準トリミング方法とメモリ装置 | 2014年 9月22日 | |
特開 2014-160879 | システムオンチップアプリケーション用二重誘電体MIMコンデンサ | 2014年 9月 4日 | |
特開 2014-149903 | 磁気抵抗メモリ装置、ビットセルアクセス方法及び磁気抵抗ランダムアクセスメモリ | 2014年 8月21日 | |
特開 2014-149902 | 抵抗ベースのランダムアクセスメモリ及びその操作方法 | 2014年 8月21日 | |
特開 2014-146787 | パッケージ構造、および、その伝送線の形成方法 | 2014年 8月14日 | |
特開 2014-135499 | ナノスケールのエピタキシー技術(Nano−ScaleEpitaxyTechnology)を用いた高品質のヘテロエピタキシー | 2014年 7月24日 | |
特開 2014-112738 | マルチ窪みのシャロートレンチアイソレーションを有する集積回路 | 2014年 6月19日 | |
特開 2014-110071 | エラー訂正パリティビットによるMRAMスマートビット書き込みアルゴリズムの方法および装置 | 2014年 6月12日 | |
特開 2014-96792 | スイッチ回路とスイッチ回路の操作方法 | 2014年 5月22日 |
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2014-225686 2014-225681 2014-220501 2014-220498 2014-199942 2014-179989 2014-175045 2014-160879 2014-149903 2014-149902 2014-146787 2014-135499 2014-112738 2014-110071 2014-96792
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6月5日(木) -
6月6日(金) -
6月5日(木) -
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
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