ホーム > 特許ランキング > 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 > 2023年 > 出願公開一覧
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第639位 46件
(
2022年:第231位 161件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第2184位 8件
(
2022年:第3717位 4件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2023-177288 | 基板保持組立体及びドア装置 | 2023年12月13日 | |
| 特開 2023-169866 | 積層型CMOSイメージセンサ及びその製造方法 | 2023年11月30日 | |
| 特開 2023-169865 | バックトレンチアイソレーション構造 | 2023年11月30日 | |
| 特開 2023-168319 | 改良された耐久特性を提供するためのポストパターン化処理されたメモリ膜を有する抵抗変化型ランダムアクセスメモリ、及びその形成方法 | 2023年11月24日 | |
| 特開 2023-168307 | 異なるタイプのメモリ装置の形成方法 | 2023年11月24日 | |
| 特開 2023-168252 | 窒化ガリウム系装置及びその試験方法 | 2023年11月24日 | |
| 特開 2023-168231 | メモリセレクタ | 2023年11月24日 | |
| 特開 2023-165610 | CMOSイメージセンサのバックサイドディープトレンチアイソレーション(BDTI)構造 | 2023年11月16日 | |
| 特開 2023-165583 | 位相ノイズ影響除去用の補正システムとそれを含むアナログ・デジタル変換装置 | 2023年11月16日 | |
| 特開 2023-164283 | クロストーク低減のためのイメージセンサ構造 | 2023年11月10日 | |
| 特開 2023-160728 | イメージセンサ構造およびその形成方法 | 2023年11月 2日 | |
| 特開 2023-156238 | パルス幅制御装置及び方法 | 2023年10月24日 | |
| 特開 2023-156229 | イメージセンサにおけるクロストークを減少させるよう構成された隔離構造 | 2023年10月24日 | |
| 特開 2023-153736 | メモリシステム及びメモリシステムの操作方法 | 2023年10月18日 | |
| 特開 2023-152717 | イメージセンサ性能を向上させるための分離構造 | 2023年10月17日 |
49 件中 1-15 件を表示
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2023-177288 2023-169866 2023-169865 2023-168319 2023-168307 2023-168252 2023-168231 2023-165610 2023-165583 2023-164283 2023-160728 2023-156238 2023-156229 2023-153736 2023-152717
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