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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第557位 64件 (2010年:第726位 51件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1078位 24件 (2010年:第1210位 18件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-97058 | 異なる誘電材料を用いたインター装置STI領域とイントラ装置STI領域の形成 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-97057 | バルクFinFET中のSiフィンのフィン下部近くのSTI形状 | 2011年 5月12日 | |
特開 2011-90304 | LCDドライバ | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-90676 | 集積アプリケーション用のLDOレギュレータ | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-89980 | 微小電気機械システム、システム、及びその動作方法 | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-91354 | センサ、方法、および半導体センサ | 2011年 5月 6日 | |
特開 2011-86942 | バルクFinFETを形成するSTI領域中のボイド | 2011年 4月28日 | |
特開 2011-86945 | マルチ窪みのシャロートレンチアイソレーションを有する集積回路 | 2011年 4月28日 | |
特開 2011-82526 | 配向ナノスケールパターンを用いて、シリコン上にIII−V族層を成長させる方法 | 2011年 4月21日 | |
特開 2011-82524 | スルーシリコンビア(TSV)ワイヤボンド構造 | 2011年 4月21日 | |
特開 2011-71516 | 集積回路構造 | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-71520 | フィン型電界効果トランジスタ | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-71517 | 金属ゲートとストレッサーを有するゲルマニウムフィンFET | 2011年 4月 7日 | |
特開 2011-66415 | 導電表面チャネル伸長部分とゲート制御チャネル側壁を有する薄体MOSFET | 2011年 3月31日 | |
特開 2011-66410 | ハニカムヘテロエピタキシーを含む半導体装置 | 2011年 3月31日 |
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2011-97058 2011-97057 2011-90304 2011-90676 2011-89980 2011-91354 2011-86942 2011-86945 2011-82526 2011-82524 2011-71516 2011-71520 2011-71517 2011-66415 2011-66410
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11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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