株式会社アルバック
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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第135位 339件
（
2011年：第167位 266件）
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第106位 389件
（2011年：第133位 277件）
（ランキング更新日：2025年5月30日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社アルバックの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-227473 | 半導体装置の製造方法 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-227380 | 通電加熱線、通電加熱線の製造方法および真空処理装置 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-225493 | スライド弁 | 2012年11月15日 | |
| 特開 2012-227440 | シリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置 | 2012年11月15日 | |
| 再表 2010-137254 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの処理方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222004 | 半導体層形成装置、半導体層製造方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-219321 | 真空処理装置 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222063 | プラズマ処理装置 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-219322 | 巻取式成膜装置及び巻取式成膜方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-219826 | スライド弁 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222243 | 半導体層形成装置、半導体層製造方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-219330 | 相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222270 | エッチング装置及びエッチング方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222166 | 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法 | 2012年11月12日 | |
| 特開 2012-222121 | 成膜装置 | 2012年11月12日 |
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2012-227473 2012-227380 2012-225493 2012-227440 2010-137254 2012-222004 2012-219321 2012-222063 2012-219322 2012-219826 2012-222243 2012-219330 2012-222270 2012-222166 2012-222121
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