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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第254位 168件
(2013年:第112位 434件)
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第185位 238件
(2013年:第104位 384件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2014-109052 | 無機酸化物膜の形成装置、及び、IGZO膜の形成方法 | 2014年 6月12日 | |
特開 2014-107470 | タングステン膜の形成方法、タングステン配線層の形成方法及びスパッタリング装置 | 2014年 6月 9日 | |
特開 2014-105368 | スパッタリング装置、薄膜製造方法 | 2014年 6月 9日 | |
再表 2012-86767 | 真空排気装置及び真空処理装置及び真空排気方法 | 2014年 6月 5日 | |
特開 2014-101535 | 基板処理装置のアライメント機構 | 2014年 6月 5日 | |
特開 2014-101564 | コバルト膜の形成方法 | 2014年 6月 5日 | |
特開 2014-99331 | 薄膜リチウム二次電池及びその作製方法 | 2014年 5月29日 | |
特開 2014-98205 | 成膜装置 | 2014年 5月29日 | |
再表 2012-86169 | 誘電体デバイスの製造方法及びアッシング方法 | 2014年 5月22日 | |
特開 2014-96297 | プラズマ処理装置 | 2014年 5月22日 | |
再表 2012-86512 | 薄膜リチウム二次電池製造装置及び薄膜リチウム二次電池製造方法 | 2014年 5月22日 | |
特開 2014-95122 | マグネトロンスパッタ装置 | 2014年 5月22日 | |
再表 2012-86183 | トンネル磁気抵抗素子の製造方法 | 2014年 5月22日 | 共同出願 |
再表 2012-70184 | リチウム硫黄二次電池用の正極及びその形成方法 | 2014年 5月19日 | |
特開 2014-91861 | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | 2014年 5月19日 |
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2014-109052 2014-107470 2014-105368 2012-86767 2014-101535 2014-101564 2014-99331 2014-98205 2012-86169 2014-96297 2012-86512 2014-95122 2012-86183 2012-70184 2014-91861
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6月10日(火) -
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