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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第112位 434件 (2012年:第135位 339件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第104位 384件 (2012年:第106位 389件)
(ランキング更新日:2025年1月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5361600 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5361627 | 真空用バルブ筐体及び真空用バルブ | 2013年12月 4日 | |
特許 5357158 | シリコンの精製方法 | 2013年12月 4日 | |
特許 5350164 | 触媒化学気相成長装置 | 2013年11月27日 | 共同出願 |
特許 5352550 | ステージ装置 | 2013年11月27日 | |
特許 5346268 | 蒸着装置及び蒸着方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5348673 | 被処理体の加熱冷却方法 | 2013年11月20日 | |
特許 5346239 | 真空蒸着装置 | 2013年11月20日 | |
特許 5348670 | 蒸発材料 | 2013年11月20日 | |
特許 5342930 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5343005 | 樹脂製基材への金属装飾膜の積層方法及び金属装飾膜を備えた樹脂製基材 | 2013年11月13日 | |
特許 5341206 | プラズマ処理装置 | 2013年11月13日 | |
特許 5339965 | スパッタリング装置用の交流電源 | 2013年11月13日 | |
特許 5342918 | 薄膜リチウムイオン二次電池、薄膜リチウムイオン二次電池製造方法 | 2013年11月13日 | |
特許 5339722 | 成膜方法及び成膜装置並びに永久磁石及び永久磁石の製造方法 | 2013年11月13日 |
384 件中 46-60 件を表示
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5361600 5361627 5357158 5350164 5352550 5346268 5348673 5346239 5348670 5342930 5343005 5341206 5339965 5342918 5339722
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