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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第112位 434件 (2012年:第135位 339件)
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第104位 384件 (2012年:第106位 389件)
(ランキング更新日:2025年1月31日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5335343 | 付着物の分析方法 | 2013年11月 6日 | |
特許 5337482 | 薄膜製造装置 | 2013年11月 6日 | |
特許 5334984 | スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法 | 2013年11月 6日 | |
特許 5335916 | 被膜表面処理方法 | 2013年11月 6日 | |
特許 5335421 | 真空処理装置 | 2013年11月 6日 | |
特許 5327777 | インクの塗布方法およびインクジェット塗布装置 | 2013年10月30日 | |
特許 5328473 | 治具およびその製造方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5328369 | 永久磁石及び永久磁石の製造方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5327759 | 溶射用水反応性Al複合材料、水反応性Al溶射膜、このAl溶射膜の製造方法、及び成膜室用構成部材 | 2013年10月30日 | |
特許 5329212 | 磁気記憶媒体製造方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5327758 | 溶射用水反応性Al複合材料、水反応性Al溶射膜、このAl溶射膜の製造方法、及び成膜室用構成部材 | 2013年10月30日 | |
特許 5328814 | プラズマ処理装置及びプラズマCVD成膜方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5328786 | 薄膜太陽電池製造装置 | 2013年10月30日 | |
特許 5326080 | 相変化メモリ装置の製造方法 | 2013年10月30日 | |
特許 5327760 | 溶射用水反応性Al複合材料、水反応性Al溶射膜、このAl溶射膜の製造方法、及び成膜室用構成部材 | 2013年10月30日 |
384 件中 61-75 件を表示
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5335343 5337482 5334984 5335916 5335421 5327777 5328473 5328369 5327759 5329212 5327758 5328814 5328786 5326080 5327760
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