ホーム > 特許ランキング > グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド > 2022年 > 特許一覧
グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
※ ログインすれば出願人(グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1399位 17件
（
2021年：第1259位 20件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1898位 10件
（2021年：第1092位 18件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2023年 2024年 2025年
グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7191886 | 高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法 | 2022年12月19日 | |
| 特許 7160943 | 半導体ドナー基板からの層移転を容易にする光アシスト板状体形成 | 2022年10月25日 | |
| 特許 7123182 | シリコン箔層の移転方法 | 2022年 8月22日 | |
| 特許 7114681 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2022年 8月 8日 | |
| 特許 7089572 | チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム | 2022年 6月22日 | |
| 特許 7082654 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2022年 6月 8日 | |
| 特許 7071486 | 低温流動性酸化物層を含む半導体オンインシュレータ構造およびその製造方法 | 2022年 5月19日 | |
| 特許 7066127 | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 | 2022年 5月13日 | |
| 特許 7021325 | 多層構造 | 2022年 2月16日 | |
| 特許 7002456 | 低温流動性酸化物層を含む半導体オンインシュレータ構造およびその製造方法 | 2022年 1月20日 |
10 件中 1-10 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
7191886 7160943 7123182 7114681 7089572 7082654 7071486 7066127 7021325 7002456
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
4月15日(火) -
4月15日(火) - 大阪 大阪市
4月15日(火) -
4月16日(水) - 東京 大田
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月16日(水) -
4月17日(木) - 東京 大田
4月17日(木) -
4月17日(木) -
4月18日(金) -
4月18日(金) -
4月18日(金) - 北海道 千代田区
4月15日(火) -
4月21日(月) -
4月22日(火) -
4月22日(火) -
4月22日(火) -
4月23日(水) -
4月23日(水) -
4月23日(水) -
4月23日(水) -
4月23日(水) - 東京 千代田区
4月23日(水) -
4月23日(水) -
4月23日(水) -
4月24日(木) - 東京 港区
4月24日(木) -
4月24日(木) -
4月25日(金) -
4月21日(月) -
