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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1399位 17件
（
2021年：第1259位 20件）
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1898位 10件
（2021年：第1092位 18件）
（ランキング更新日：2025年10月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7191886 | 高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法 | 2022年12月19日 | |
| 特許 7160943 | 半導体ドナー基板からの層移転を容易にする光アシスト板状体形成 | 2022年10月25日 | |
| 特許 7123182 | シリコン箔層の移転方法 | 2022年 8月22日 | |
| 特許 7114681 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2022年 8月 8日 | |
| 特許 7089572 | チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム | 2022年 6月22日 | |
| 特許 7082654 | 半導体基板に応力を加える装置 | 2022年 6月 8日 | |
| 特許 7071486 | 低温流動性酸化物層を含む半導体オンインシュレータ構造およびその製造方法 | 2022年 5月19日 | |
| 特許 7066127 | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 | 2022年 5月13日 | |
| 特許 7021325 | 多層構造 | 2022年 2月16日 | |
| 特許 7002456 | 低温流動性酸化物層を含む半導体オンインシュレータ構造およびその製造方法 | 2022年 1月20日 |
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7191886 7160943 7123182 7114681 7089572 7082654 7071486 7066127 7021325 7002456
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