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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第816位 33件
(2022年:第1399位 17件)
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第1516位 13件
(2022年:第1898位 10件)
(ランキング更新日:2025年3月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7398460 | 固体ドーパントを昇華させるための多孔質の仕切り部材を備えたドーピング導管を含むインゴット引上げ装置 | 2023年12月14日 | |
特許 7365900 | 改善された抵抗率制御により単結晶シリコンインゴットを形成する方法 | 2023年10月20日 | |
特許 7351987 | シリコン箔層の移転方法 | 2023年 9月27日 | |
特許 7341223 | パッド-パッド変動のために調整を行う半導体基板の研磨方法 | 2023年 9月 8日 | |
特許 7283707 | シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成 | 2023年 5月30日 | |
特許 7275172 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム | 2023年 5月17日 | |
特許 7248711 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造 | 2023年 3月29日 | |
特許 7239539 | 凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド | 2023年 3月14日 | |
特許 7237996 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 | 2023年 3月13日 | |
特許 7222128 | 多層構造 | 2023年 2月14日 | |
特許 7209776 | 半導体構造を評価する方法 | 2023年 1月20日 | |
特許 7209779 | 改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ | 2023年 1月20日 | |
特許 7206366 | 高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法 | 2023年 1月17日 |
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7398460 7365900 7351987 7341223 7283707 7275172 7248711 7239539 7237996 7222128 7209776 7209779 7206366
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