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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第858位 28件
(
2024年:第904位 27件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第809位 26件
(
2024年:第1274位 16件)
(ランキング更新日:2026年1月21日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7789748 | 自動化された半導体基板の研磨および洗浄 | 2025年12月22日 | |
| 特許 7789065 | インゴット引上げ装置においてインゴットを製造する方法及びそのような装置用のサイドヒータの長さを選択する方法 | 2025年12月19日 | |
| 特許 7778150 | 半導体ウェハ反応装置における予熱リングのためのシステムおよび方法 | 2025年12月 1日 | |
| 特許 7773566 | 半導体構造体のエッチング方法及び処理リアクタの調整方法 | 2025年11月19日 | |
| 特許 7763289 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム | 2025年10月31日 | |
| 特許 7760577 | 水平磁場チョクラルスキーにより単結晶シリコンインゴットを製造する方法 | 2025年10月27日 | |
| 特許 7760704 | フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法 | 2025年10月27日 | |
| 特許 7752181 | 気化ドーパントを使用して単結晶シリコンインゴットを製造するためのシステム及び方法 | 2025年10月 9日 | |
| 特許 7748937 | 連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット | 2025年10月 3日 | |
| 特許 7747833 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7731920 | 炉内で半導体ウエハを支持するためのウエハボート | 2025年 9月 1日 | |
| 特許 7720843 | 水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法 | 2025年 8月 8日 | |
| 特許 7720980 | ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ | 2025年 8月 8日 | |
| 特許 7710498 | シリコン箔層の移転方法 | 2025年 7月18日 | |
| 特許 7699633 | ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法 | 2025年 6月27日 |
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7789748 7789065 7778150 7773566 7763289 7760577 7760704 7752181 7748937 7747833 7731920 7720843 7720980 7710498 7699633
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