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グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド

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  2025年 出願公開件数ランキング    第858位 28件 上昇2024年:第904位 27件)

  2025年 特許取得件数ランキング    第809位 26件 上昇2024年:第1274位 16件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7789748 自動化された半導体基板の研磨および洗浄 2025年12月22日
特許 7789065 インゴット引上げ装置においてインゴットを製造する方法及びそのような装置用のサイドヒータの長さを選択する方法 2025年12月19日
特許 7778150 半導体ウェハ反応装置における予熱リングのためのシステムおよび方法 2025年12月 1日
特許 7773566 半導体構造体のエッチング方法及び処理リアクタの調整方法 2025年11月19日
特許 7763289 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム 2025年10月31日
特許 7760577 水平磁場チョクラルスキーにより単結晶シリコンインゴットを製造する方法 2025年10月27日
特許 7760704 フロントエンド処理されたウェハの形状測定基準を用いて半導体ウェハを処理するためのシステムおよび方法 2025年10月27日
特許 7752181 気化ドーパントを使用して単結晶シリコンインゴットを製造するためのシステム及び方法 2025年10月 9日
特許 7748937 連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット 2025年10月 3日
特許 7747833 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造 2025年10月 1日
特許 7731920 炉内で半導体ウエハを支持するためのウエハボート 2025年 9月 1日
特許 7720843 水平磁場を用いたシリコンの製造のためのシステムおよび方法 2025年 8月 8日
特許 7720980 ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ 2025年 8月 8日
特許 7710498 シリコン箔層の移転方法 2025年 7月18日
特許 7699633 ばね部材を有し半導体構造を劈開するための劈開システム、及びそのような構造を劈開するための方法 2025年 6月27日

26 件中 1-15 件を表示

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7789748 7789065 7778150 7773566 7763289 7760577 7760704 7752181 7748937 7747833 7731920 7720843 7720980 7710498 7699633

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