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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6987057	低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法	2021年12月22日
特許 6980071	向上した電荷捕獲効率を有する高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板	2021年12月15日
特許 6977100	半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法	2021年12月 8日
特許 6972282	高抵抗シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法	2021年11月24日
特許 6967596	接合ウエハ構造を分離する劈開システム、取り付け可能な劈開モニタシステム、及び方法	2021年11月17日
特許 6955537	多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法	2021年10月27日
特許 6934460	低酸素シリコンインゴットの製造方法	2021年 9月15日
特許 6931708	半導体構造を評価する方法	2021年 9月 8日
特許 6914278	改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ	2021年 8月 4日
特許 6875386	ＣＶＤ装置	2021年 5月26日
特許 6867430	凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド	2021年 4月28日
特許 6867388	チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム	2021年 4月28日
特許 6861242	半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置	2021年 4月21日
特許 6858763	多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法	2021年 4月14日
特許 6842575	窒素ドープされた空孔優勢であるシリコンインゴット、およびそれから形成された半径方向に均一に分布した酸素析出の密度およびサイズを有する熱処理されたウエハ	2021年 3月17日

18 件中 1-15 件を表示

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6987057 6980071 6977100 6972282 6967596 6955537 6934460 6931708 6914278 6875386 6867430 6867388 6861242 6858763 6842575

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