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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第1259位 20件
(2020年:第2292位 9件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第1092位 18件
(2020年:第1162位 16件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6987057 | 低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法 | 2021年12月22日 | |
特許 6980071 | 向上した電荷捕獲効率を有する高抵抗率シリコンオンインシュレータ基板 | 2021年12月15日 | |
特許 6977100 | 半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法 | 2021年12月 8日 | |
特許 6972282 | 高抵抗シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法 | 2021年11月24日 | |
特許 6967596 | 接合ウエハ構造を分離する劈開システム、取り付け可能な劈開モニタシステム、及び方法 | 2021年11月17日 | |
特許 6955537 | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | 2021年10月27日 | |
特許 6934460 | 低酸素シリコンインゴットの製造方法 | 2021年 9月15日 | |
特許 6931708 | 半導体構造を評価する方法 | 2021年 9月 8日 | |
特許 6914278 | 改善された機械的強度を有する高抵抗率単結晶シリコンインゴット及びウェハ | 2021年 8月 4日 | |
特許 6875386 | CVD装置 | 2021年 5月26日 | |
特許 6867388 | チャンクポリシリコンまたは粒状ポリシリコンを結晶成長チャンバの中に選択的に供給するためのシステム | 2021年 4月28日 | |
特許 6867430 | 凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド | 2021年 4月28日 | |
特許 6861242 | 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 | 2021年 4月21日 | |
特許 6858763 | 多結晶仕上げを有する半導体ウエハを処理する方法 | 2021年 4月14日 | |
特許 6842575 | 窒素ドープされた空孔優勢であるシリコンインゴット、およびそれから形成された半径方向に均一に分布した酸素析出の密度およびサイズを有する熱処理されたウエハ | 2021年 3月17日 |
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6987057 6980071 6977100 6972282 6967596 6955537 6934460 6931708 6914278 6875386 6867388 6867430 6861242 6858763 6842575
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4月4日(金) -
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4月9日(水) -
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4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
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4月11日(金) -
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