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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第904位 27件
(2023年:第816位 33件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1274位 16件
(2023年:第1516位 13件)
(ランキング更新日:2025年6月27日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7607748 | 化学気相堆積システム用ウインドウおよび関連方法 | 2024年12月27日 | |
特許 7603800 | 劈開された半導体ウェハカメラシステムおよび方法 | 2024年12月20日 | |
特許 7585333 | ユニット化るつぼアセンブリを形成するための方法、るつぼ鋳型、およびユニット化るつぼ | 2024年11月18日 | |
特許 7580545 | 連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット | 2024年11月11日 | |
特許 7556989 | 低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法 | 2024年 9月26日 | |
特許 7539318 | インゴットネック引張速度の移動平均の監視を伴うシリコンインゴットの製造方法 | 2024年 8月23日 | |
特許 7527425 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ構造 | 2024年 8月 2日 | |
特許 7520104 | 単結晶シリコンインゴットを成長させる際の動的ステートチャートの作製および使用 | 2024年 7月22日 | |
特許 7518766 | LLSリング/コアパターンを改善する単結晶シリコンインゴットの処理の方法 | 2024年 7月18日 | |
特許 7515591 | SOI構造から酸化膜を除去する方法およびSOI構造を準備する方法 | 2024年 7月12日 | |
特許 7503053 | インゴットの品質を向上するためのシリコン融液中のドーパント濃度制御 | 2024年 6月19日 | |
特許 7470233 | 優れた性能、安定性および製造性を有する無線周波数シリコン・オン・インシュレータ・ウエハ・プラットフォーム | 2024年 4月17日 | |
特許 7467362 | 単結晶シリコンインゴット製造中のサンプルロッド成長および抵抗率測定 | 2024年 4月15日 | |
特許 7451777 | 高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法 | 2024年 3月18日 | |
特許 7430204 | インゴット引上げ装置 | 2024年 2月 9日 |
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7607748 7603800 7585333 7580545 7556989 7539318 7527425 7520104 7518766 7515591 7503053 7470233 7467362 7451777 7430204
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