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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッド

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グローバルウェーハズ　カンパニー　リミテッドの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6801105	高抵抗シリコンオンインシュレータ構造及びその製造方法	2020年12月16日
特許 6796162	膜応力を制御可能なシリコン基板の上に電荷トラップ用多結晶シリコン膜を成長させる方法	2020年12月 2日
特許 6779358	高抵抗率ＳＯＩウエハおよびその製造方法	2020年11月 4日
特許 6775804	シリコン系誘電体上の六方晶窒化ホウ素の直接形成	2020年10月28日
特許 6757357	半導体のヘテロ構造およびその形成方法	2020年 9月16日
特許 6752933	多層構造体	2020年 9月 9日
特許 6749394	滑らかな半導体表面の製造方法	2020年 9月 2日
特許 6730402	高抵抗率ＳＯＩウエハおよびその製造方法	2020年 7月29日
特許 6726180	高抵抗率半導体・オン・インシュレータウエハおよび製造方法	2020年 7月22日
特許 6704031	粒状材料中のダストを低減するためのシステムおよび方法	2020年 6月 3日
特許 6692357	半導体構造上にエピタキシャルスムージング加工を実行するためのシステムおよび方法	2020年 5月13日
特許 6671436	熱処理により不活性な酸素析出核を活性化する高析出密度ウエハの製造	2020年 3月25日
特許 6657201	凹所およびキャップを有する、中心部が可撓性の片面研磨ヘッド	2020年 3月 4日
特許 6652959	窒素ドープされた空孔優勢であるシリコンインゴット、およびそれから形成された半径方向に均一に分布した酸素析出の密度およびサイズを有する熱処理されたウエハ	2020年 2月26日
特許 6650463	電荷トラップ層を備えた高抵抗率の半導体・オン・インシュレーターウェハーの製造方法	2020年 2月19日

16 件中 1-15 件を表示

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6801105 6796162 6779358 6775804 6757357 6752933 6749394 6730402 6726180 6704031 6692357 6671436 6657201 6652959 6650463

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