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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7542049 | 半導体デバイス | 2024年 8月29日 | |
特許 7541156 | 不揮発性メモリデバイスおよび制御方法 | 2024年 8月27日 | |
特許 7539901 | プログラマブルロジックデバイスおよび異種メモリを有するユニファイド半導体デバイス、および、それを形成するための方法 | 2024年 8月26日 | |
特許 7540098 | メモリデバイスをプログラムする方法、メモリデバイス、及びメモリシステム | 2024年 8月26日 | |
特許 7535663 | メモリシステムの電力管理 | 2024年 8月16日 | |
特許 7532518 | 三次元メモリデバイス及びその形成方法 | 2024年 8月13日 | |
特許 7532534 | バックサイドソースコンタクトを備える3次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2024年 8月13日 | |
特許 7524192 | 三次元メモリデバイスおよびその製作方法 | 2024年 7月29日 | |
特許 7524363 | 擬似非同期マルチプレーン独立読み取り | 2024年 7月29日 | |
特許 7523453 | 3次元メモリデバイス | 2024年 7月26日 | |
特許 7520160 | プログラミング障害に対する独立ディスクの冗長アレイのストライピングのための方法およびその装置 | 2024年 7月22日 | |
特許 7515633 | NANDフラッシュメモリ用の放電回路 | 2024年 7月12日 | |
特許 7511689 | メモリーデバイスおよびその動作 | 2024年 7月 5日 | |
特許 7510012 | メモリデバイスのページバッファ内のデータ読取り用クロック信号返還スキーム | 2024年 7月 2日 | |
特許 7504191 | 垂直メモリデバイス | 2024年 6月21日 |
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7542049 7541156 7539901 7540098 7535663 7532518 7532534 7524192 7524363 7523453 7520160 7515633 7511689 7510012 7504191
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