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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7451774 | NANDメモリ操作のためのアーキテクチャおよび方法 | 2024年 3月18日 | |
特許 7447152 | 接着層によって連結されるソースコンタクトを伴う三次元メモリデバイス、およびそれを形成するための方法 | 2024年 3月11日 | |
特許 7447317 | 3次元メモリデバイスの読出し時間の改善 | 2024年 3月11日 | |
特許 7442504 | 接合メモリ装置およびその製作方法 | 2024年 3月 4日 | |
特許 7439135 | 3次元メモリデバイスおよびその製造方法 | 2024年 2月27日 | |
特許 7439136 | 3次元NANDのためのビットラインドライバーのアイソレーションのための構造および方法 | 2024年 2月27日 | |
特許 7433343 | 二段デッキ三次元NANDメモリ、およびそれを製作するための方法 | 2024年 2月19日 | |
特許 7433482 | 3次元メモリーデバイスにおける非同期のマルチプレーンの独立したスキームのダイナミックアナログリソースシェアリング | 2024年 2月19日 | |
特許 7427685 | スリット構造に支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2024年 2月 5日 | |
特許 7427686 | ゲート線スリットに支持構造を伴う三次元メモリデバイス、およびその三次元メモリデバイスを形成するための方法 | 2024年 2月 5日 | |
特許 7427022 | 3次元相変化メモリを伴う3次元メモリデバイス | 2024年 2月 2日 | |
特許 7422168 | 半導体デバイス | 2024年 1月25日 | |
特許 7414822 | 集積回路パッケージング構造及びその製造方法 | 2024年 1月16日 | |
特許 7414921 | メモリシステムをプログラムする方法 | 2024年 1月16日 | |
特許 7412449 | 高度なメモリ構造およびデバイス | 2024年 1月12日 |
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7451774 7447152 7447317 7442504 7439135 7439136 7433343 7433482 7427685 7427686 7427022 7422168 7414822 7414921 7412449
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1月11日(土) -
1月11日(土) -
1月9日(木) -
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1月15日(水) -
1月15日(水) - 東京 千代田区
1月15日(水) -
1月15日(水) -
1月16日(木) - 石川 金沢市
1月16日(木) -
1月17日(金) - 東京 渋谷区
1月17日(金) -
1月17日(金) -
1月14日(火) - 東京 港区
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