特許ランキング - 出願人詳細情報 -

インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー

※ ログインすれば出願人(インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2016年出願公開件数ランキング　　　第961位　28件（2015年：第867位　31件）

　■　2016年特許取得件数ランキング　　　第1043位　21件（2015年：第2434位　6件）

（ランキング更新日：2026年10月14日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年 2026年

インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-192544	半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法	2016年11月10日
特開 2016-192541	ＳｉＣベースの超接合半導体装置	2016年11月10日
特開 2016-189465	２種類のエミッタ領域を有するエミッタを備えるバイポーラトランジスタデバイス	2016年11月 4日
特開 2016-166859	ＲＦＩＣ及びアンテナシステムを有するＲＦシステム	2016年 9月15日
特開 2016-154218	トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置	2016年 8月25日
特開 2016-146470	過負荷電流通電能力を有する半導体デバイス	2016年 8月12日
特開 2016-136618	ストライプ状トレンチゲート構造、トランジスタメサおよびダイオードメサを有する半導体素子	2016年 7月28日
特開 2016-134626	半導体表面を処理するための方法	2016年 7月25日
特開 2016-129226	ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置	2016年 7月14日
特開 2016-122835	トレンチ電極を備えた半導体デバイス	2016年 7月 7日
特開 2016-115936	シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法	2016年 6月23日
特開 2016-115354	不揮発性メモリのリフレッシュ	2016年 6月23日
特開 2016-109678	レーダ信号を処理するための方法および装置	2016年 6月20日
特開 2016-111337	半導体ウエハーの製造方法と低格子間酸素濃度を有する半導体デバイス	2016年 6月20日
特開 2016-105460	活性領域にセンサ電位が与えられた半導体デバイス	2016年 6月 9日

28 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2016-192544 2016-192541 2016-189465 2016-166859 2016-154218 2016-146470 2016-136618 2016-134626 2016-129226 2016-122835 2016-115936 2016-115354 2016-109678 2016-111337 2016-105460

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2026年特許出願件数	2026年特許取得件数
2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数