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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第961位 28件
(
2015年:第867位 31件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第1043位 21件
(
2015年:第2434位 6件)
(ランキング更新日:2026年10月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2016-192544 | 半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法 | 2016年11月10日 | |
| 特開 2016-192541 | SiCベースの超接合半導体装置 | 2016年11月10日 | |
| 特開 2016-189465 | 2種類のエミッタ領域を有するエミッタを備えるバイポーラトランジスタデバイス | 2016年11月 4日 | |
| 特開 2016-166859 | RFIC及びアンテナシステムを有するRFシステム | 2016年 9月15日 | |
| 特開 2016-154218 | トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置 | 2016年 8月25日 | |
| 特開 2016-146470 | 過負荷電流通電能力を有する半導体デバイス | 2016年 8月12日 | |
| 特開 2016-136618 | ストライプ状トレンチゲート構造、トランジスタメサおよびダイオードメサを有する半導体素子 | 2016年 7月28日 | |
| 特開 2016-134626 | 半導体表面を処理するための方法 | 2016年 7月25日 | |
| 特開 2016-129226 | ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置 | 2016年 7月14日 | |
| 特開 2016-122835 | トレンチ電極を備えた半導体デバイス | 2016年 7月 7日 | |
| 特開 2016-115936 | シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 | 2016年 6月23日 | |
| 特開 2016-115354 | 不揮発性メモリのリフレッシュ | 2016年 6月23日 | |
| 特開 2016-109678 | レーダ信号を処理するための方法および装置 | 2016年 6月20日 | |
| 特開 2016-111337 | 半導体ウエハーの製造方法と低格子間酸素濃度を有する半導体デバイス | 2016年 6月20日 | |
| 特開 2016-105460 | 活性領域にセンサ電位が与えられた半導体デバイス | 2016年 6月 9日 |
28 件中 1-15 件を表示
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2016-192544 2016-192541 2016-189465 2016-166859 2016-154218 2016-146470 2016-136618 2016-134626 2016-129226 2016-122835 2016-115936 2016-115354 2016-109678 2016-111337 2016-105460
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