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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー

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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2016-192541	ＳｉＣベースの超接合半導体装置	2016年11月10日
特開 2016-192544	半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法	2016年11月10日
特開 2016-189465	２種類のエミッタ領域を有するエミッタを備えるバイポーラトランジスタデバイス	2016年11月 4日
特開 2016-166859	ＲＦＩＣ及びアンテナシステムを有するＲＦシステム	2016年 9月15日
特開 2016-154218	トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置	2016年 8月25日
特開 2016-146470	過負荷電流通電能力を有する半導体デバイス	2016年 8月12日
特開 2016-136618	ストライプ状トレンチゲート構造、トランジスタメサおよびダイオードメサを有する半導体素子	2016年 7月28日
特開 2016-134626	半導体表面を処理するための方法	2016年 7月25日
特開 2016-129226	ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置	2016年 7月14日
特開 2016-122835	トレンチ電極を備えた半導体デバイス	2016年 7月 7日
特開 2016-115354	不揮発性メモリのリフレッシュ	2016年 6月23日
特開 2016-115936	シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法	2016年 6月23日
特開 2016-109678	レーダ信号を処理するための方法および装置	2016年 6月20日
特開 2016-111337	半導体ウエハーの製造方法と低格子間酸素濃度を有する半導体デバイス	2016年 6月20日
特開 2016-105460	活性領域にセンサ電位が与えられた半導体デバイス	2016年 6月 9日

28 件中 1-15 件を表示

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2016-192541 2016-192544 2016-189465 2016-166859 2016-154218 2016-146470 2016-136618 2016-134626 2016-129226 2016-122835 2016-115354 2016-115936 2016-109678 2016-111337 2016-105460

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