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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第993位 27件 (2017年:第1110位 27件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1089位 18件 (2017年:第872位 25件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2018-203611 | SiC表面の平坦化方法 | 2018年12月27日 | |
特開 2018-198316 | ボンドパッド間のゲートフィンガを含むワイドバンドギャップ半導体デバイス | 2018年12月13日 | |
特開 2018-194547 | RFIC及びアンテナシステムを有するRFシステム | 2018年12月 6日 | |
特開 2018-186270 | トレンチ下部にオフセットを有するSiC半導体デバイス | 2018年11月22日 | |
特開 2018-182313 | dV/dt可制御性を有するIGBT | 2018年11月15日 | |
特開 2018-182323 | メタライゼーション構造を備える半導体デバイスおよびその製造方法 | 2018年11月15日 | |
特開 2018-182324 | 静電放電保護構造を含む半導体デバイス | 2018年11月15日 | |
特開 2018-164078 | トランジスタデバイス | 2018年10月18日 | |
特開 2018-164081 | 炭化ケイ素半導体デバイス及びその製造方法 | 2018年10月18日 | |
特開 2018-160240 | 安全関連のアプリケーションにおけるマイクロコントローラシステム用の安全なリセット技術 | 2018年10月11日 | |
特開 2018-157214 | 非晶質化された部分を除去することによって炭化ケイ素半導体素子を製造する方法 | 2018年10月 4日 | |
特開 2018-136310 | 磁気角度センサデバイスおよび動作方法 | 2018年 8月30日 | |
特開 2018-125520 | 炭化ケイ素上への金属接触層の形成及び金属接触構造を有する半導体デバイス | 2018年 8月 9日 | |
特開 2018-125526 | ヒートスラグとリベットのないダイ取付領域とを有する半導体パッケージ | 2018年 8月 9日 | |
特開 2018-109616 | 不活性ガス中における集積回路装置の試験 | 2018年 7月12日 |
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2018-203611 2018-198316 2018-194547 2018-186270 2018-182313 2018-182323 2018-182324 2018-164078 2018-164081 2018-160240 2018-157214 2018-136310 2018-125520 2018-125526 2018-109616
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11月22日(金) -
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11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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