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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第979位 27件
（
2016年：第961位 28件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第872位 25件
（
2016年：第1043位 21件）
（ランキング更新日：2026年10月13日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-228783 | 半導体装置を形成する方法および半導体装置 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-228773 | パワー半導体素子における超接合構造 | 2017年12月28日 | |
| 特開 2017-224838 | パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法 | 2017年12月21日 | |
| 特開 2017-220667 | トレンチゲート構造を有するワイドバンドギャップ半導体素子 | 2017年12月14日 | |
| 特開 2017-216677 | 埋め込みパリティ行列生成器 | 2017年12月 7日 | |
| 特開 2017-208087 | メモリのアクセスに用いる方法及び装置 | 2017年11月24日 | |
| 特開 2017-204655 | シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法 | 2017年11月16日 | |
| 特開 2017-194962 | 信号経路を監視する装置及び方法、並びに信号処理システム | 2017年10月26日 | |
| 特開 2017-194452 | 事前捕捉ランプを利用するレーダ | 2017年10月26日 | |
| 特開 2017-188669 | 金属接着およびバリア構造体を備える半導体デバイスならびに半導体デバイスを形成する方法 | 2017年10月12日 | |
| 特開 2017-175117 | 電力用半導体素子の負荷端子 | 2017年 9月28日 | |
| 特開 2017-168834 | トランジスタセルおよび補償構造体を含む広バンドギャップ半導体デバイス | 2017年 9月21日 | |
| 特開 2017-157823 | パワー半導体デバイス、半導体デバイス、および電荷キャリア数を調整するための方法 | 2017年 9月 7日 | |
| 特開 2017-153064 | 半導体スイッチングデバイスおよびクランプダイオードを含む電気組立体 | 2017年 8月31日 | |
| 特開 2017-152699 | トレンチ電極を備えた半導体デバイス | 2017年 8月31日 |
27 件中 1-15 件を表示
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2017-228783 2017-228773 2017-224838 2017-220667 2017-216677 2017-208087 2017-204655 2017-194962 2017-194452 2017-188669 2017-175117 2017-168834 2017-157823 2017-153064 2017-152699
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