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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー

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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2017-228773	パワー半導体素子における超接合構造	2017年12月28日
特開 2017-228783	半導体装置を形成する方法および半導体装置	2017年12月28日
特開 2017-224838	パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法	2017年12月21日
特開 2017-220667	トレンチゲート構造を有するワイドバンドギャップ半導体素子	2017年12月14日
特開 2017-216677	埋め込みパリティ行列生成器	2017年12月 7日
特開 2017-208087	メモリのアクセスに用いる方法及び装置	2017年11月24日
特開 2017-204655	シールドゲートを有する炭化珪素装置を形成する方法	2017年11月16日
特開 2017-194452	事前捕捉ランプを利用するレーダ	2017年10月26日
特開 2017-194962	信号経路を監視する装置及び方法、並びに信号処理システム	2017年10月26日
特開 2017-188669	金属接着およびバリア構造体を備える半導体デバイスならびに半導体デバイスを形成する方法	2017年10月12日
特開 2017-175117	電力用半導体素子の負荷端子	2017年 9月28日
特開 2017-168834	トランジスタセルおよび補償構造体を含む広バンドギャップ半導体デバイス	2017年 9月21日
特開 2017-157823	パワー半導体デバイス、半導体デバイス、および電荷キャリア数を調整するための方法	2017年 9月 7日
特開 2017-152680	半導体装置及び半導体装置の電界効果トランジスタを制御する回路	2017年 8月31日
特開 2017-152699	トレンチ電極を備えた半導体デバイス	2017年 8月31日

27 件中 1-15 件を表示

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2017-228773 2017-228783 2017-224838 2017-220667 2017-216677 2017-208087 2017-204655 2017-194452 2017-194962 2017-188669 2017-175117 2017-168834 2017-157823 2017-152680 2017-152699

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