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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

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  2015年 出願公開件数ランキング    第903位 31件 上昇2014年: 0件)

  2015年 特許取得件数ランキング    第2434位 6件 上昇2014年: 0件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2015-233141 パワー半導体デバイス 2015年12月24日
特開 2015-230305 レーダ信号を処理する方法、装置、およびシステム 2015年12月21日
特開 2015-225661 不揮発性メモリでのマーカプログラミング 2015年12月14日
特開 2015-226060 半導体装置 2015年12月14日
特開 2015-226066 半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット 2015年12月14日
特開 2015-216371 半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイス 2015年12月 3日
特開 2015-213173 フィールド・リング・エッジ終端構造および相異なるフィールド・リング間に配置された分離トレンチを有する半導体デバイス 2015年11月26日
特開 2015-204128 メモリ・タイミング回路 2015年11月16日
特開 2015-186259 エッジに基づいた通信 2015年10月22日
特開 2015-186260 情報の通信 2015年10月22日
特開 2015-170857 パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法 2015年 9月28日
特開 2015-165393 消去カウンタを処理するための方法および装置 2015年 9月17日
特開 2015-163870 レーダ信号を処理するための方法、装置、およびシステム 2015年 9月10日
特開 2015-156489 後側の電極に直接隣接するゾーンを有する半導体素子およびRC−IGBT 2015年 8月27日
特開 2015-142381 データ反転によってデータ記憶を改良するための装置および方法 2015年 8月 3日

31 件中 1-15 件を表示

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2015-233141 2015-230305 2015-225661 2015-226060 2015-226066 2015-216371 2015-213173 2015-204128 2015-186259 2015-186260 2015-170857 2015-165393 2015-163870 2015-156489 2015-142381

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