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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第903位 31件
(2014年: 0件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第2434位 6件
(2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2015-233141 | パワー半導体デバイス | 2015年12月24日 | |
特開 2015-230305 | レーダ信号を処理する方法、装置、およびシステム | 2015年12月21日 | |
特開 2015-225661 | 不揮発性メモリでのマーカプログラミング | 2015年12月14日 | |
特開 2015-226060 | 半導体装置 | 2015年12月14日 | |
特開 2015-226066 | 半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット | 2015年12月14日 | |
特開 2015-216371 | 半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイス | 2015年12月 3日 | |
特開 2015-213173 | フィールド・リング・エッジ終端構造および相異なるフィールド・リング間に配置された分離トレンチを有する半導体デバイス | 2015年11月26日 | |
特開 2015-204128 | メモリ・タイミング回路 | 2015年11月16日 | |
特開 2015-186259 | エッジに基づいた通信 | 2015年10月22日 | |
特開 2015-186260 | 情報の通信 | 2015年10月22日 | |
特開 2015-170857 | パッシベーション層を有する半導体素子およびその生産方法 | 2015年 9月28日 | |
特開 2015-165393 | 消去カウンタを処理するための方法および装置 | 2015年 9月17日 | |
特開 2015-163870 | レーダ信号を処理するための方法、装置、およびシステム | 2015年 9月10日 | |
特開 2015-156489 | 後側の電極に直接隣接するゾーンを有する半導体素子およびRC−IGBT | 2015年 8月27日 | |
特開 2015-142381 | データ反転によってデータ記憶を改良するための装置および方法 | 2015年 8月 3日 |
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2015-233141 2015-230305 2015-225661 2015-226060 2015-226066 2015-216371 2015-213173 2015-204128 2015-186259 2015-186260 2015-170857 2015-165393 2015-163870 2015-156489 2015-142381
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