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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲー

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　■　2020年出願公開件数ランキング　　　第1652位　14件（2019年：第937位　31件）

　■　2020年特許取得件数ランキング　　　第991位　20件（2019年：第1151位　16件）

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インフィネオン　テクノロジーズ　アーゲーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2020-532112	画定された亀裂防止縁延長部を有する圧縮性の中間層	2020年11月 5日
特開 2020-174175	トレンチ・ゲート構造を有する炭化ケイ素デバイス及び製造方法	2020年10月22日
特開 2020-155772	炭化ケイ素から成る半導体本体を備える半導体デバイス	2020年 9月24日
特開 2020-145430	トレンチ構造を含む半導体デバイス及び製作方法	2020年 9月10日
特開 2020-134523	レーダ信号の処理	2020年 8月31日
特開 2020-91849	システムオンチップ及びシステムオンチップを動作させるための方法	2020年 6月11日
特開 2020-92272	トレンチ下部にオフセットを有するＳｉＣ半導体デバイス	2020年 6月11日
特開 2020-74381	半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット	2020年 5月14日
特開 2020-38975	ＳｉＣベースの超接合半導体装置	2020年 3月12日
特開 2020-25090	構造体をキャリアの主表面領域から剥離するためのデバイス及び方法	2020年 2月13日
特開 2020-21941	ドリフト空間にｐ層を有するｎチャネルバイポーラパワー半導体素子	2020年 2月 6日
特開 2020-10020	炭化ケイ素ウェハを処理するための方法および炭化ケイ素半導体デバイス	2020年 1月16日
特開 2020-4956	シリコンカーバイド半導体素子	2020年 1月 9日
特開 2020-4958	半導体ウエハを処理する方法、半導体複合構造及び半導体ウエハのための支持構造	2020年 1月 9日

14 件中 1-14 件を表示

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2020-532112 2020-174175 2020-155772 2020-145430 2020-134523 2020-91849 2020-92272 2020-74381 2020-38975 2020-25090 2020-21941 2020-10020 2020-4956 2020-4958

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