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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

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  2017年 出願公開件数ランキング    第1110位 27件 下降2016年:第983位 28件)

  2017年 特許取得件数ランキング    第872位 25件 上昇2016年:第1043位 21件)

(ランキング更新日:2025年4月11日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6119058 半導体装置 2017年 4月26日
特許 6119059 半導体ウエハを処理するための方法 2017年 4月26日
特許 6121501 半導体ウエハーの製造方法と低格子間酸素濃度を有する半導体デバイス 2017年 4月26日
特許 6105032 トレンチ電極を備えた半導体デバイス 2017年 3月29日
特許 6100217 半導体ウェハの後ドーピング方法 2017年 3月22日
特許 6100307 半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイス 2017年 3月22日
特許 6080023 逆導通型IGBT 2017年 2月15日
特許 6080024 バイポーラ半導体素子内の電荷キャリア寿命の調整 2017年 2月15日
特許 6080180 不揮発性メモリでのマーカプログラミング 2017年 2月15日
特許 6080938 トランジスタセルおよびエンハンスメントセルを有する半導体装置 2017年 2月15日

25 件中 16-25 件を表示

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6119058 6119059 6121501 6105032 6100217 6100307 6080023 6080024 6080180 6080938

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