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日産化学工業株式会社

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  2024年 出願公開件数ランキング    第362位 82件 上昇2023年:第393位 85件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第181位 169件 上昇2023年:第199位 183件)

(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2024-20421 細胞培養容器 2024年 2月14日
特開 2024-16930 亜硝酸イオン含有量の測定方法 2024年 2月 8日
特開 2024-19271 液晶配向剤、液晶配向膜、液晶表示素子及びジアミン 2024年 2月 8日
特開 2024-15474 半導体基板の洗浄方法、加工された半導体基板の製造方法、及び、剥離及び溶解用組成物 2024年 2月 2日
特開 2024-8588 高分子被覆した低誘電正接シリカゾル及びその製造方法 2024年 1月19日
特開 2024-8719 光沢を失わずに着色する方法 2024年 1月19日
特表 2024-502487 抗酸化剤を含む原油及びガス貯留層の地下注入用薬液 2024年 1月19日
特開 2024-7369 液晶配向膜の製造方法、液晶表示素子の製造方法、液晶配向膜、及び液晶表示素子 2024年 1月18日
特開 2024-5774 保存安定性に優れた塩素化イソシアヌル酸組成物 2024年 1月17日
特開 2024-4449 レジスト下層膜形成用組成物 2024年 1月16日
特開 2024-3004 含フッ素アニリン誘導体 2024年 1月11日
特開 2024-1159 細胞保存材料 2024年 1月 9日
特開 2024-1185 レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 2024年 1月 9日
特開 2024-1186 レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜、レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 2024年 1月 9日

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2024-20421 2024-16930 2024-19271 2024-15474 2024-8588 2024-8719 2024-502487 2024-7369 2024-5774 2024-4449 2024-3004 2024-1159 2024-1185 2024-1186

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