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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第7297位 2件
(2015年:第1576位 15件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第748位 32件
(2015年:第1019位 20件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5956997 | MEMSデバイス用のマルチ温度マイクロオーブンの設計および制御 | 2016年 7月27日 | |
特許 5954944 | 半導体基板上での逆相境界の無いIII−V化合物半導体材料およびその製造方法 | 2016年 7月20日 | |
特許 5941411 | 生体細胞を検知及び/又は駆動するための電子デバイスおよび方法 | 2016年 6月29日 | |
特許 5937493 | GaNLEDデバイスの製造方法 | 2016年 6月22日 | |
特許 5924878 | 半導体デバイスの動作方法 | 2016年 5月25日 | |
特許 5926045 | n型ゲルマニウム上への低抵抗コンタクトの作製方法 | 2016年 5月25日 | |
特許 5922219 | 単結晶スズ含有半導体材料を成長させる方法 | 2016年 5月24日 | |
特許 5922361 | 活性マイクロシーブおよび生物学的応用のための方法 | 2016年 5月24日 | |
特許 5911194 | マイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法およびその方法によるデバイス | 2016年 4月27日 | |
特許 5913909 | フローティングゲートメモリ構造の製造方法 | 2016年 4月27日 | |
特許 5901153 | 半導体デバイスの冷却装置 | 2016年 4月 6日 | |
特許 5888916 | 金属−絶縁体−金属キャパシタおよびその製造方法 | 2016年 3月22日 | |
特許 5889510 | 原子間力顕微鏡プローブ構成の製造方法 | 2016年 3月22日 | |
特許 5883263 | 半導体デバイスで使用する金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法 | 2016年 3月 9日 | |
特許 5878116 | 磁性層のパターニングと接続 | 2016年 3月 8日 |
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5956997 5954944 5941411 5937493 5924878 5926045 5922219 5922361 5911194 5913909 5901153 5888916 5889510 5883263 5878116
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