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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第3387位 6件
(2021年:第1125位 23件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第933位 24件
(2021年:第959位 21件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7084371 | 半導体装置、および、構造体の製造方法 | 2022年 6月14日 | |
特許 7063736 | 窒化物結晶基板の製造方法 | 2022年 5月 9日 | |
特許 7054730 | 窒化物半導体積層物、半導体装置、および窒化物半導体積層物の製造方法 | 2022年 4月14日 | |
特許 7044309 | 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス | 2022年 3月30日 | |
特許 7041461 | 半絶縁性結晶、n型半導体結晶およびp型半導体結晶 | 2022年 3月24日 | |
特許 7037329 | 窒化物半導体基板、半導体積層物、基板選別プログラム、半導体装置選別プログラム、および半導体装置の製造方法 | 2022年 3月16日 | |
特許 7019149 | III族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、III族窒化物積層体 | 2022年 2月15日 | |
特許 7018103 | 構造体の製造方法および製造装置 | 2022年 2月 9日 | |
特許 6991013 | 窒化物結晶基板 | 2022年 2月 3日 | |
特許 6998798 | GaN積層体およびその製造方法 | 2022年 1月18日 | |
特許 6994835 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 | 2022年 1月14日 | |
特許 6995304 | 窒化物半導体テンプレートの製造方法、窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体デバイス | 2022年 1月14日 |
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7084371 7063736 7054730 7044309 7041461 7037329 7019149 7018103 6991013 6998798 6994835 6995304
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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