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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第462位 72件
(2019年:第546位 62件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第565位 40件
(2019年:第668位 33件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6770648 | 下にあるインターポーザを通じて拡張するヒートスプレッダを有する半導体ダイアセンブリ及び関連技術 | 2020年10月14日 | |
特許 6756428 | FERAM−DRAMハイブリッドメモリ | 2020年 9月16日 | |
特許 6752991 | メモリセルのデータ状態の判定 | 2020年 9月 9日 | |
特許 6745894 | 導電性構造、導電性構造を含むシステムと装置および関連する方法 | 2020年 8月26日 | |
特許 6746667 | 区分された論理素子を有する積層半導体ダイアセンブリおよび関連システムと方法 | 2020年 8月26日 | |
特許 6737862 | 強誘電体メモリセルを動作させる方法および関連する強誘電体メモリセル | 2020年 8月12日 | |
特許 6737953 | 強誘電体メモリを含む装置および強誘電体メモリにアクセスするための方法 | 2020年 8月12日 | |
特許 6718983 | 磁気トンネル接合 | 2020年 7月 8日 | |
特許 6718992 | クロスポイント不揮発性メモリに対する書き込み | 2020年 7月 8日 | |
特許 6716661 | 相変化メモリセルの核形成の増進 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6716693 | 書き込みカウントに基づいて書き込みパラメータを調整する装置および方法 | 2020年 7月 1日 | |
特許 6713581 | 不揮発性サブアレイへのメモリアレイ動作情報の蓄積 | 2020年 6月24日 | |
特許 6708832 | 磁気トンネル接合 | 2020年 6月10日 | |
特許 6708833 | クロスポイントメモリおよびその製造方法 | 2020年 6月10日 | |
特許 6705117 | アレイのデータビットの反転 | 2020年 6月 3日 |
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6770648 6756428 6752991 6745894 6746667 6737862 6737953 6718983 6718992 6716661 6716693 6713581 6708832 6708833 6705117
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