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マイクロン テクノロジー, インク.

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  2021年 出願公開件数ランキング    第352位 104件 上昇2020年:第462位 72件)

  2021年 特許取得件数ランキング    第316位 85件 上昇2020年:第565位 40件)

(ランキング更新日:2024年11月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2021-509225 階段構造を形成する方法、ならびに関連した階段構造、および半導体デバイス構造 2021年 3月18日
特表 2021-509226 トランジスタ、およびメモリ・セルの高さ方向に延びるストリングのアレイ 2021年 3月18日
特開 2021-44575 複数の選択ゲートと異なるバイアス条件を有するメモリ素子 2021年 3月18日
特表 2021-508904 自動参照のメモリセル読み出し技術 2021年 3月11日
特表 2021-508906 メモリの実質的含意演算 2021年 3月11日
特表 2021-508907 極性調整メモリ・セル書き込み操作 2021年 3月11日
特表 2021-508908 組み込みリフレッシュによるドリフト低減 2021年 3月11日
特表 2021-508909 結合容量を用いた自己参照センシング・スキーム 2021年 3月11日
特表 2021-508950 半導体メモリに対するセンス線アーキテクチャのための装置及び方法 2021年 3月11日
特表 2021-508107 自動参照のメモリセル読み出し技術 2021年 2月25日
特表 2021-508140 訂正不可能なECC 2021年 2月25日
特表 2021-508176 メモリアレイ、及びメモリアレイを形成する方法 2021年 2月25日
特表 2021-507372 可変幅スーパーブロックのアドレス指定 2021年 2月22日
特表 2021-507373 マルチレベルアドレッシング 2021年 2月22日
特表 2021-507400 NAND論理対物理テーブル領域追跡 2021年 2月22日

104 件中 76-90 件を表示

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2021-509225 2021-509226 2021-44575 2021-508904 2021-508906 2021-508907 2021-508908 2021-508909 2021-508950 2021-508107 2021-508140 2021-508176 2021-507372 2021-507373 2021-507400

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