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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第311位 104件
(
2020年:第445位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(
2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2026年10月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2021-530152 | 安全な論理対物理キャッシング | 2021年11月 4日 | |
| 特表 2021-530121 | スタックメモリアレイの誘電体延長部 | 2021年11月 4日 | |
| 特表 2021-530044 | フラッシュメモリのホスト側キャッシュセキュリティ | 2021年11月 4日 | |
| 特開 2021-168225 | データキャッシング | 2021年10月21日 | |
| 特開 2021-168203 | 不揮発性メモリの複数区画の同時アクセスのための装置及び方法 | 2021年10月21日 | |
| 特表 2021-528922 | 無線によるセキュアなロック作動のためのやり取り | 2021年10月21日 | |
| 特表 2021-528783 | NAND動作レイテンシの制御 | 2021年10月21日 | |
| 特表 2021-527912 | センチネルセルに基づくデータ整合性の判断 | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527890 | メモリデバイスの適応型ウォッチドッグ | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527910 | メモリデバイスを使用するウエイトストイレージ | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527911 | マルチレベル自己選択メモリセルをプログラムするための技法 | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527913 | メモリ動作のための専用コマンド | 2021年10月14日 | |
| 特開 2021-166114 | メモリセルのインプリント回避 | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527948 | メモリセルのための電極の製造 | 2021年10月14日 | |
| 特表 2021-527341 | 遷移金属ドープのゲルマニウム−アンチモン−テルル(GST)メモリデバイスコンポーネント及び組成物 | 2021年10月11日 |
104 件中 16-30 件を表示
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2021-530152 2021-530121 2021-530044 2021-168225 2021-168203 2021-528922 2021-528783 2021-527912 2021-527890 2021-527910 2021-527911 2021-527913 2021-166114 2021-527948 2021-527341
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