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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年6月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2021-517361 | 水平方向のアクセス・ラインを有する自己選択メモリ・アレイ | 2021年 7月15日 | |
特表 2021-517409 | ストレージデバイスの認証修正 | 2021年 7月15日 | |
特表 2021-516402 | ハイブリッドメモリシステム | 2021年 7月 1日 | |
特表 2021-515956 | メモリ・セルを検知するための差動アンプ・スキーム | 2021年 6月24日 | |
特表 2021-514094 | メモリセルを検知するための装置及び方法 | 2021年 6月 3日 | |
特表 2021-513221 | メモリ・デバイスのためのドーパント変調型エッチング | 2021年 5月20日 | |
特表 2021-513224 | 非対称電極界面を有するメモリ・セル | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-77436 | メモリアレイのためのプレートノードの構成及び動作 | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-73695 | メモリ・パッケージの下にコントローラを備えたメモリ・デバイス、ならびに関連するシステムおよび方法 | 2021年 5月13日 | |
特開 2021-73747 | 強誘電体キャパシタ、強誘電体電界効果トランジスタ、並びに導電性材料及び強誘電体材料を含む電子部品の形成に用いられる方法 | 2021年 5月13日 | |
特表 2021-510887 | メモリ媒体の劣化を検出および軽減するための方法、ならびにそれを採用するメモリ・デバイス | 2021年 4月30日 | |
特開 2021-68463 | 共有バス上の複数のデバイスのためのデータ転送技術 | 2021年 4月30日 | |
特開 2021-51824 | セルベースのリファレンス電圧の生成 | 2021年 4月 1日 | |
特表 2021-509519 | メモリセルをプリチャージするための技術 | 2021年 3月25日 | |
特表 2021-509216 | 不揮発性メモリ内のトリムパラメータをアップデートするための技術 | 2021年 3月18日 |
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2021-517361 2021-517409 2021-516402 2021-515956 2021-514094 2021-513221 2021-513224 2021-77436 2021-73695 2021-73747 2021-510887 2021-68463 2021-51824 2021-509519 2021-509216
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