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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年6月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2021-507422 | 温度ベースのメモリ動作 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507441 | 自己選択メモリデバイスにアクセスするための技術 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507442 | マルチレベル自己選択メモリデバイス | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507443 | メモリ検知のための電流分離 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507444 | メモリ検知のための電荷分離 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507511 | セルの外乱を低減するためにリーカ・デバイスをキャパシタ構成に組み込む方法、およびリーカ・デバイスを組み込むキャパシタ構成 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507525 | メモリアレイ及びメモリアレイを形成する方法 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507538 | 半導体デバイス構造を処理する方法および関連するシステム | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-507545 | メモリセル、メモリアレイ、及びメモリアレイを形成する方法 | 2021年 2月22日 | |
特表 2021-506053 | 不揮発性メモリにおけるデータ移動動作 | 2021年 2月18日 | |
特開 2021-22417 | マルチレベルメモリセルを含む装置およびその動作方法 | 2021年 2月18日 | |
特表 2021-504869 | メモリセルの動作 | 2021年 2月15日 | |
特表 2021-504870 | 入力データと格納データの比較 | 2021年 2月15日 | |
特開 2021-7064 | 周辺充填および局在化容量 | 2021年 1月21日 |
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2021-507422 2021-507441 2021-507442 2021-507443 2021-507444 2021-507511 2021-507525 2021-507538 2021-507545 2021-506053 2021-22417 2021-504869 2021-504870 2021-7064
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