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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第352位 104件
(2020年:第462位 72件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第316位 85件
(2020年:第565位 40件)
(ランキング更新日:2025年6月6日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特表 2021-526260 | 論理対物理データ構造 | 2021年 9月30日 | |
特表 2021-526265 | メモリ管理 | 2021年 9月30日 | |
特表 2021-526283 | メモリ内の検知動作 | 2021年 9月30日 | |
特開 2021-152984 | デュアル・モード強誘電体メモリ・セル動作 | 2021年 9月30日 | |
特表 2021-525924 | データの2つの部分を有するメモリのデータの再配置 | 2021年 9月27日 | |
特表 2021-525939 | メモリ・デバイスにおけるセクション・ベースのデータ保護のためのアクセス・スキーム | 2021年 9月27日 | |
特開 2021-140856 | カウンタ及びECCフィードバックに基づいたメモリセルに対するオンザフライプログラミング及び検証方法 | 2021年 9月16日 | |
特表 2021-524646 | 強化されたビットフリッピングスキーム | 2021年 9月13日 | |
特開 2021-136452 | 複数の半導体デバイスモジュール内の熱を消散するための装置及び方法 | 2021年 9月13日 | |
特表 2021-523555 | トランジスタ、トランジスタのアレイ、コンデンサと高さ方向に延伸するトランジスタと個別に含むメモリセルのアレイ、及びトランジスタのアレイを形成する方法 | 2021年 9月 2日 | |
特表 2021-522567 | カウンタ更新動作のための装置及び方法 | 2021年 8月30日 | |
特表 2021-522579 | ホストの論理対物理情報の更新 | 2021年 8月30日 | |
特表 2021-522641 | メモリセルのアレイに対するアクセス線管理 | 2021年 8月30日 | |
特表 2021-522679 | 埋設線および関連する製造技法 | 2021年 8月30日 | |
特開 2021-121982 | メモリ装置におけるプログラム禁止 | 2021年 8月26日 |
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2021-526260 2021-526265 2021-526283 2021-152984 2021-525924 2021-525939 2021-140856 2021-524646 2021-136452 2021-523555 2021-522567 2021-522579 2021-522641 2021-522679 2021-121982
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