特許ランキング - 出願人詳細情報 -

古河機械金属株式会社

※ ログインすれば出願人(古河機械金属株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2017年出願公開件数ランキング　　　第947位　33件（2016年：第707位　44件）

　■　2017年特許取得件数ランキング　　　第842位　26件（2016年：第2017位　9件）

（ランキング更新日：2025年10月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年

古河機械金属株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6253289	気相成長装置及び気相成長用加熱装置	2017年12月27日
特許 6254412	窒化リチウムの製造方法	2017年12月27日
特許 6254413	硫化リチウムの製造方法	2017年12月27日
特許 6250368	自立基板の製造方法および自立基板	2017年12月20日
特許 6232150	ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法	2017年11月15日
特許 6224405	電気素子および電気素子の製造方法	2017年11月 1日
特許 6224424	ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法	2017年11月 1日
特許 6211880	電気素子および電気素子の製造方法	2017年10月11日
特許 6211911	半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム	2017年10月11日
特許 6193103	半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム。	2017年 9月 6日
特許 6185236	造粒機制御装置	2017年 8月23日
特許 6178206	ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法	2017年 8月 9日
特許 6158564	半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置	2017年 7月 5日
特許 6144525	下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法	2017年 6月 7日
特許 6145248	放射線検出器	2017年 6月 7日

29 件中 1-15 件を表示

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

6253289 6254412 6254413 6250368 6232150 6224405 6224424 6211880 6211911 6193103 6185236 6178206 6158564 6144525 6145248

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。古河機械金属株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2025年特許出願件数	2025年特許取得件数
2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2023年特許出願件数	2023年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数