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古河機械金属株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第947位 33件
（
2016年：第707位 44件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第842位 26件
（
2016年：第2017位 9件）
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古河機械金属株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6253289 | 気相成長装置及び気相成長用加熱装置 | 2017年12月27日 | |
| 特許 6254412 | 窒化リチウムの製造方法 | 2017年12月27日 | |
| 特許 6254413 | 硫化リチウムの製造方法 | 2017年12月27日 | |
| 特許 6250368 | 自立基板の製造方法および自立基板 | 2017年12月20日 | |
| 特許 6232150 | ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 | 2017年11月15日 | |
| 特許 6224405 | 電気素子および電気素子の製造方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6224424 | ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法 | 2017年11月 1日 | |
| 特許 6211880 | 電気素子および電気素子の製造方法 | 2017年10月11日 | |
| 特許 6211911 | 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム | 2017年10月11日 | |
| 特許 6193103 | 半導体の電気特性の測定装置、半導体の電気特性の測定方法、半導体の電気特性の測定装置の制御装置、およびコンピュータプログラム。 | 2017年 9月 6日 | |
| 特許 6185236 | 造粒機制御装置 | 2017年 8月23日 | |
| 特許 6178206 | ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 | 2017年 8月 9日 | |
| 特許 6158564 | 半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置 | 2017年 7月 5日 | |
| 特許 6144525 | 下地基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法 | 2017年 6月 7日 | |
| 特許 6145248 | 放射線検出器 | 2017年 6月 7日 |
29 件中 1-15 件を表示
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6253289 6254412 6254413 6250368 6232150 6224405 6224424 6211880 6211911 6193103 6185236 6178206 6158564 6144525 6145248
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