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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7782016 | 単結晶シリコンロッドの製造デバイスおよび製造方法 | 2025年12月 8日 | |
| 特許 7781905 | 堆積リアクタのチャンバ内でエピタキシャル層を有する半導体ウェハを製造する方法 | 2025年12月 8日 | |
| 特許 7775451 | シリコンの単結晶の製造プロセス | 2025年11月25日 | |
| 特許 7764603 | 半導体ウェハを洗浄するための方法 | 2025年11月 5日 | |
| 特許 7753336 | ワークピースから複数のスライスを同時にスライスするための方法および装置 | 2025年10月14日 | |
| 特許 7735584 | 窒化ガリウムを堆積するためのヘテロエピタキシャルウエハ | 2025年 9月 8日 | |
| 特許 7707276 | スリットバルブ通路装置においてパージガスのガスカーテンを発生させるための方法、およびスリットバルブ通路装置 | 2025年 7月14日 | |
| 特許 7693955 | 基板の表面上にシリコンゲルマニウムの歪み緩和傾斜バッファ層を堆積する方法 | 2025年 6月17日 | |
| 特許 7682999 | 基板ウェーハ上に半導体材料の層を堆積させるための装置および方法 | 2025年 5月26日 | |
| 特許 7676567 | 半導体材料で作られた円筒状ロッドからディスクを製造する方法 | 2025年 5月14日 | |
| 特許 7661510 | 半導体基板の応力ロバストネスを試験するための方法 | 2025年 4月14日 | |
| 特許 7661369 | 一連の切断動作中にワイヤソーによって被加工物から複数のスライスを切断する方法 | 2025年 4月14日 | |
| 特許 7654688 | 半導体ウェハの研削方法 | 2025年 4月 1日 | |
| 特許 7651725 | 気相のエピタキシャル層を含む半導体ウェハを堆積チャンバ内で製造する方法 | 2025年 3月26日 | |
| 特許 7642860 | 堆積室において気相から堆積させたエピタキシャル層を有する半導体ウェハを製造するための方法 | 2025年 3月10日 |
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7782016 7781905 7775451 7764603 7753336 7735584 7707276 7693955 7682999 7676567 7661510 7661369 7654688 7651725 7642860
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企業の知財部員がすべき「知財実務手順の対応」 ~特許出願から明細書作成のノウハウ及び先行技術調査の基礎、特許権侵害の実務対応~
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