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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5826306 | 半導体ウエハの同時両面研磨用の研磨パッドを調節する方法 | 2015年12月 2日 | |
| 特許 5805843 | シリコン単結晶基板およびその製造方法 | 2015年11月10日 | |
| 特許 5805687 | エピタキシャル被覆されたシリコンウェハ及びエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 | 2015年11月 4日 | |
| 特許 5777336 | 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 | 2015年 9月 9日 | |
| 特許 5748699 | 材料層を堆積するための装置および方法 | 2015年 7月15日 | |
| 特許 5745468 | ウエハ型の被処理物を一時保管するための装置および方法 | 2015年 7月 8日 | |
| 特許 5745282 | 単結晶シリコンウェハ | 2015年 7月 8日 | |
| 特許 5743511 | 直径が一定の区分を備えたシリコンから成る単結晶を引上げるための方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5730688 | シリコン基板の製造方法 | 2015年 6月10日 | |
| 特許 5719815 | エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法 | 2015年 5月20日 | |
| 特許 5697368 | 両面で半導体ウェハを化学的に研削する方法 | 2015年 4月 8日 | |
| 特許 5693697 | ワイヤソーで加工物を複数のウェハに切断するための、中断されたプロセスを再開するための方法 | 2015年 4月 1日 | |
| 特許 5693680 | 単結晶シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 | 2015年 4月 1日 | |
| 特許 5693497 | 半導体ウェハ及びその製造法 | 2015年 4月 1日 | |
| 特許 5683517 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 3月11日 |
22 件中 1-15 件を表示
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5826306 5805843 5805687 5777336 5748699 5745468 5745282 5743511 5730688 5719815 5697368 5693697 5693680 5693497 5683517
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