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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第1571位 15件
(2019年:第1916位 12件)
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第2152位 7件
(2019年:第2333位 6件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6794526 | エピタキシリアクタにおける半導体ウェハを操作するための装置およびエピタシャル層を有する半導体上ウェハを製造するための方法 | 2020年12月 2日 | |
特許 6786720 | 半導体ウェハを両面研磨する方法 | 2020年11月18日 | |
特許 6772300 | コーティングされた半導体ウエハを製造するための方法および装置 | 2020年10月21日 | |
特許 6754842 | 微量金属分析のための半導体ウェハの気相エッチングのための方法 | 2020年 9月16日 | |
特許 6724142 | 均質な径方向の酸素変化量を有するシリコンウェハ | 2020年 7月15日 | |
特許 6697558 | 半導体ウェハをエピタキシャル被覆するための方法 | 2020年 5月20日 | |
特許 6672481 | 単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための方法、単結晶シリコンの半導体ウェハを製造するための装置および単結晶シリコンの半導体ウェハ | 2020年 3月25日 |
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6794526 6786720 6772300 6754842 6724142 6697558 6672481
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3月18日(火) -
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3月25日(火) - 東京 品川区
3月25日(火) -
3月26日(水) - 東京 港区
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