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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6980893 | 単結晶シリコンから作られる半導体ウェハおよびその製造プロセス | 2021年12月15日 | |
特許 6972184 | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ | 2021年11月24日 | |
特許 6899176 | FZ法によって単結晶を引き上げるための方法 | 2021年 7月 7日 | |
特許 6900512 | FZ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント | 2021年 7月 7日 | |
特許 6889170 | 単結晶の引上げの間に単結晶の直径を決定および調節するための方法 | 2021年 6月18日 | |
特許 6883581 | 堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法、エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置、およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ | 2021年 6月 9日 | |
特許 6880078 | 半導体ウェハを保持するためのサセプタ、半導体ウェハの表面上にエピタキシャル層を堆積する方法、およびエピタキシャル層を有する半導体ウェハ | 2021年 6月 2日 | |
特許 6880208 | FZ法によって単結晶を引き上げるための方法 | 2021年 6月 2日 | |
特許 6851994 | ポリシリコンを機械的に分級するためのふるい機用のスクリーン板およびスクリーン板の使用 | 2021年 3月31日 | |
特許 6821809 | 単結晶シリコンから構成される半導体ウェハおよび単結晶シリコンから構成される半導体ウェハの製造方法 | 2021年 1月27日 | |
特許 6816267 | るつぼに含まれる融解物から半導体材料からなる単結晶を引き上げる方法 | 2021年 1月20日 | |
特許 6812572 | 半導体ウェハの表面上への層の堆積の間に配向ノッチを有する半導体ウェハを保持するためのサセプタおよびサセプタを用いることによって層を堆積する方法 | 2021年 1月13日 |
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6980893 6972184 6899176 6900512 6889170 6883581 6880078 6880208 6851994 6821809 6816267 6812572
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