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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第1174位 20件
（
2023年：第979位 27件）
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第1048位 21件
（
2023年：第1999位 9件）
（ランキング更新日：2025年1月9日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7607702 | シリコンウェハの製造方法 | 2024年12月27日 | |
| 特許 7600373 | 半導体ワークピースのための真空把持部を生成するための方法、および真空把持部 | 2024年12月16日 | |
| 特許 7584638 | 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法および装置 | 2024年11月15日 | |
| 特許 7584649 | 半導体ウェハの表面上の未知の粒子を分類する方法 | 2024年11月15日 | |
| 特許 7566908 | ｎ型ドーパントによってドープされたシリコン単結晶を製造するための方法および装置 | 2024年10月15日 | |
| 特許 7567067 | 堆積チャンバにおいて気相から堆積されるエピタキシャル層を有する半導体ウェーハを製造するためのプロセス | 2024年10月15日 | |
| 特許 7536903 | 単結晶シリコンから作られる半導体ウエハおよびその製造方法 | 2024年 8月20日 | |
| 特許 7537008 | 基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 | 2024年 8月20日 | |
| 特許 7532417 | ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置 | 2024年 8月13日 | |
| 特許 7532533 | シリコン結晶を製造するための石英ガラス坩堝および石英ガラス坩堝の製造方法 | 2024年 8月13日 | |
| 特許 7532650 | 基板上にシリコンゲルマニウム層を堆積する方法 | 2024年 8月13日 | |
| 特許 7524362 | 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 | 2024年 7月29日 | |
| 特許 7524476 | 基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 | 2024年 7月29日 | |
| 特許 7514960 | 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 | 2024年 7月11日 | |
| 特許 7503652 | 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置 | 2024年 6月20日 |
21 件中 1-15 件を表示
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7607702 7600373 7584638 7584649 7566908 7567067 7536903 7537008 7532417 7532533 7532650 7524362 7524476 7514960 7503652
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