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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフト

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ジルトロニック　アクチエンゲゼルシャフトの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7607702	シリコンウェハの製造方法	2024年12月27日
特許 7600373	半導体ワークピースのための真空把持部を生成するための方法、および真空把持部	2024年12月16日
特許 7584649	半導体ウェハの表面上の未知の粒子を分類する方法	2024年11月15日
特許 7584638	半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法および装置	2024年11月15日
特許 7567067	堆積チャンバにおいて気相から堆積されるエピタキシャル層を有する半導体ウェーハを製造するためのプロセス	2024年10月15日
特許 7566908	ｎ型ドーパントによってドープされたシリコン単結晶を製造するための方法および装置	2024年10月15日
特許 7537008	基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法	2024年 8月20日
特許 7536903	単結晶シリコンから作られる半導体ウエハおよびその製造方法	2024年 8月20日
特許 7532417	ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置	2024年 8月13日
特許 7532650	基板上にシリコンゲルマニウム層を堆積する方法	2024年 8月13日
特許 7532533	シリコン結晶を製造するための石英ガラス坩堝および石英ガラス坩堝の製造方法	2024年 8月13日
特許 7524476	基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法	2024年 7月29日
特許 7524362	一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法	2024年 7月29日
特許 7514960	一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法	2024年 7月11日
特許 7503652	半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置	2024年 6月20日

21 件中 1-15 件を表示

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7607702 7600373 7584649 7584638 7567067 7566908 7537008 7536903 7532417 7532650 7532533 7524476 7524362 7514960 7503652

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