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ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト

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  2024年 出願公開件数ランキング    第1174位 20件 下降2023年:第979位 27件)

  2024年 特許取得件数ランキング    第1048位 21件 上昇2023年:第1999位 9件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7607702 シリコンウェハの製造方法 2024年12月27日
特許 7600373 半導体ワークピースのための真空把持部を生成するための方法、および真空把持部 2024年12月16日
特許 7584638 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法および装置 2024年11月15日
特許 7584649 半導体ウェハの表面上の未知の粒子を分類する方法 2024年11月15日
特許 7566908 n型ドーパントによってドープされたシリコン単結晶を製造するための方法および装置 2024年10月15日
特許 7567067 堆積チャンバにおいて気相から堆積されるエピタキシャル層を有する半導体ウェーハを製造するためのプロセス 2024年10月15日
特許 7536903 単結晶シリコンから作られる半導体ウエハおよびその製造方法 2024年 8月20日
特許 7537008 基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 2024年 8月20日
特許 7532417 ウェハの表面にエピタキシャル層を堆積させる方法、およびこの方法を実施するための装置 2024年 8月13日
特許 7532533 シリコン結晶を製造するための石英ガラス坩堝および石英ガラス坩堝の製造方法 2024年 8月13日
特許 7532650 基板上にシリコンゲルマニウム層を堆積する方法 2024年 8月13日
特許 7524362 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 2024年 7月29日
特許 7524476 基板ウェーハ上にエピタキシャル層を堆積させるための方法 2024年 7月29日
特許 7514960 一連の切断動作中にワイヤソーによってワークピースから複数のスライスを切断するための方法 2024年 7月11日
特許 7503652 半導体材料からなる基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積するための方法および装置 2024年 6月20日

21 件中 1-15 件を表示

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7607702 7600373 7584638 7584649 7566908 7567067 7536903 7537008 7532417 7532533 7532650 7524362 7524476 7514960 7503652

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