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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第1878位 12件
(2021年:第3208位 6件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第1537位 13件
(2021年:第1475位 12件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7192123 | ワイヤソーによって半導体ウェハを製造するための方法、ワイヤソー、および、単結晶シリコンの半導体ウェハ | 2022年12月19日 | |
特許 7167329 | CZ法により半導体材料の単結晶を溶融物から引上げるための装置およびこれを用いた方法 | 2022年11月 8日 | |
特許 7159329 | 半導体ウェハを研磨するための方法 | 2022年10月24日 | |
特許 7102422 | ワイヤソー、ワイヤガイドロール、およびインゴットから複数のウェハを同時に切出すための方法 | 2022年 7月19日 | |
特許 7098717 | 単結晶シリコンの半導体ウェハおよび半導体ウェハの製造方法 | 2022年 7月11日 | |
特許 7062078 | 半導体ウェーハを生産するためのプロセス | 2022年 5月 2日 | |
特許 7059351 | 単結晶シリコンのエピタキシャル被覆半導体ウェハの製造方法 | 2022年 4月25日 | |
特許 7038146 | 半導体ウェハを処理するための方法、制御システムおよびプラント、ならびに半導体ウェハ | 2022年 3月17日 | |
特許 7026795 | 半導体ウェハの表側にエピタキシャル層を堆積させる方法およびその方法を実施するための装置 | 2022年 2月28日 | |
特許 6995980 | n型ドーパントでドープされた<100>方位を有するシリコンの単結晶、およびそのような単結晶の製造方法 | 2022年 2月 3日 | |
特許 7005627 | ポリシリコンのための分離装置 | 2022年 1月21日 | |
特許 6995979 | ヘテロエピタキシャルウェハおよびヘテロエピタキシャルウェハの製造方法 | 2022年 1月17日 | |
特許 6996001 | エピタキシャル層を有する半導体ウェーハ | 2022年 1月17日 |
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7192123 7167329 7159329 7102422 7098717 7062078 7059351 7038146 7026795 6995980 7005627 6995979 6996001
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特許庁:AI/DX時代に即した産業財産権制度について ~有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性~
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