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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第2477位 8件
(
2015年:第1982位 11件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第1172位 18件
(
2015年:第942位 22件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6022000 | 半導体材料の結晶を作製するための装置およびプロセス | 2016年11月 9日 | |
| 特許 6016748 | 半導体ウェハ | 2016年10月26日 | |
| 特許 6005118 | マイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置 | 2016年10月12日 | |
| 特許 5995825 | 少なくとも1つのウエハを研磨する方法 | 2016年 9月21日 | |
| 特許 5970526 | ワイヤソーによって被加工物からウェハをスライスするための方法 | 2016年 8月17日 | |
| 特許 5970593 | 半導体ウェーハの表面上の欠陥を検出するための表面検査システムの動作状態を監視するための方法 | 2016年 8月17日 | |
| 特許 5968365 | 半導体ウェハの両面研磨方法 | 2016年 8月10日 | |
| 特許 5961661 | 単結晶の直径を設定点直径に制御するための方法 | 2016年 8月 2日 | |
| 特許 5957483 | 同時両面研磨により半導体ウエハを研磨する方法 | 2016年 7月27日 | |
| 特許 5951132 | 溶融領域における単結晶の結晶化により単結晶を製造するための装置 | 2016年 7月13日 | |
| 特許 5938428 | 半導体ウェハ、および半導体ウェハの作製のためのプロセス | 2016年 6月22日 | |
| 特許 5930629 | シリコン半導体ウェハ | 2016年 6月 8日 | |
| 特許 5921754 | 蒸着法によって半導体ウエハ上に層を堆積させる装置 | 2016年 5月24日 | |
| 特許 5894858 | 超音波洗浄方法 | 2016年 3月30日 | |
| 特許 5872382 | 超音波洗浄方法 | 2016年 3月 1日 |
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6022000 6016748 6005118 5995825 5970526 5970593 5968365 5961661 5957483 5951132 5938428 5930629 5921754 5894858 5872382
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【大阪会場】 前田知財塾 ~スキルアップ編~ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く! 第2回 「特許権侵害判断・回避構造の検討」
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