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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第145位 311件
(2010年:第110位 439件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第127位 281件
(2010年:第89位 319件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 4744855 | 静電チャック | 2011年 8月10日 | |
特許 4745361 | ガスセンサ | 2011年 8月10日 | |
特許 4746988 | アクチュエータ素子及びアクチュエータ素子を有する装置 | 2011年 8月10日 | |
特許 4740002 | 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造装置用部材、及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4739774 | セラミック焼結体接合装置及びセラミック焼結体接合方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4738724 | 薄膜の製造方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4738748 | III族窒化物単結晶の作製方法 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4738107 | 放射性廃棄物通路のダンパー開閉装置 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4739068 | 圧電薄膜デバイス | 2011年 8月 3日 | |
特許 4740559 | パルス電源 | 2011年 8月 3日 | |
特許 4731993 | ハニカム構造体の製造方法 | 2011年 7月27日 | |
特許 4732194 | セラミックハニカム成形体の切断方法及び切断装置 | 2011年 7月27日 | |
特許 4726261 | ガスセンサ | 2011年 7月20日 | |
特許 4730774 | 電子放出装置 | 2011年 7月20日 | |
特許 4727169 | エピタキシャル基板、当該エピタキシャル基板の製造方法、当該エピタキシャル基板の反り抑制方法、および当該エピタキシャル基板を用いた半導体積層構造 | 2011年 7月20日 |
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4744855 4745361 4746988 4740002 4739774 4738724 4738748 4738107 4739068 4740559 4731993 4732194 4726261 4730774 4727169
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