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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第158位 292件 (2011年:第145位 311件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第104位 399件 (2011年:第127位 281件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5085067 | III族窒化物結晶の結晶品質改善方法 | 2012年11月28日 | 共同出願 |
特許 5082013 | ガスセンサ用のコンタクト部材、ガスセンサ、拘束部材、ガスセンサのセンサ素子とコンタクト部材との接続方法、および、ガスセンサの製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5083865 | 光導波路基板および高調波発生デバイス | 2012年11月28日 | |
特許 5084942 | 液滴吐出装置の製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5084155 | アルミナ焼結体及びその製造方法、並びに、このアルミナ焼結体を用いた静電チャック及びその製造方法 | 2012年11月28日 | |
特許 5081689 | マイクロプラズマジェット反応器、及びマイクロプラズマジェット発生装置 | 2012年11月28日 | |
特許 5080736 | 耐火物の製造方法及びこれにより得られた耐火物 | 2012年11月21日 | |
特許 5075937 | ガスセンサ素子及びその製造方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5075538 | セラミックスグリーンシートの成形装置及び成形方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5075268 | 燃料電池の構造体 | 2012年11月21日 | |
特許 5080829 | ナトリウム−硫黄電池用パッケージ | 2012年11月21日 | |
特許 5079361 | AlGaN結晶層の形成方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5079735 | 電極端子形成方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5078129 | III族金属窒化物単結晶の育成方法 | 2012年11月21日 | |
特許 5075670 | プラズマ処理装置 | 2012年11月21日 |
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5085067 5082013 5083865 5084942 5084155 5081689 5080736 5075937 5075538 5075268 5080829 5079361 5079735 5078129 5075670
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2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
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2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
2月4日(火) - 東京 港区
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
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