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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第557位 64件
(2010年:第726位 51件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1078位 24件
(2010年:第1210位 18件)
(ランキング更新日:2025年5月30日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-66414 | ナノスケールのエピタキシー技術(Nano−ScaleEpitaxyTechnology)を用いた高品質のヘテロエピタキシー | 2011年 3月31日 | |
特開 2011-66410 | ハニカムヘテロエピタキシーを含む半導体装置 | 2011年 3月31日 | |
特開 2011-61207 | 金属ゲートトランジスタ、集積回路、システム、およびその製造方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-61205 | 集積回路構造及びその形成方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-61196 | 蓄積型FINFET、回路、及びその製造方法 | 2011年 3月24日 | |
特開 2011-54970 | 定電力密度スケーリングの方法 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54995 | レンズと一体のパッケージ及びそのパッケージを組み込んだ光学的アセンブリ | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-54263 | メモリエラーと冗長 | 2011年 3月17日 | |
特開 2011-49560 | 集積回路構造および集積回路構造を形成する方法 | 2011年 3月10日 | |
特開 2011-44706 | 高ゲルマニウム濃度のSiGeストレッサの形成方法 | 2011年 3月 3日 | |
特開 2011-35398 | デュアルポートSRAMセルの構造 | 2011年 2月17日 | |
特開 2011-35425 | 液浸リソグラフィシステムおよび半導体集積回路の液浸フォトリソグラフィパターニング方法 | 2011年 2月17日 | |
特開 2011-35391 | 高移動度マルチゲートトランジスタのフィン構造 | 2011年 2月17日 | |
特開 2011-35399 | AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーション | 2011年 2月17日 | |
特開 2011-29636 | 銅柱バンプ上の金属間化合物の接合のための方法と構造 | 2011年 2月10日 |
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2011-66414 2011-66410 2011-61207 2011-61205 2011-61196 2011-54970 2011-54995 2011-54263 2011-49560 2011-44706 2011-35398 2011-35425 2011-35391 2011-35399 2011-29636
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5月30日(金) -
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6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月4日(水) -
6月5日(木) -
6月6日(金) -
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