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■ 2012年 出願公開件数ランキング 第135位 339件 (2011年:第167位 266件)
■ 2012年 特許取得件数ランキング 第106位 389件 (2011年:第133位 277件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特開 2012-219330 | 相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法 | 2012年11月12日 | |
特開 2012-219321 | 真空処理装置 | 2012年11月12日 | |
特開 2012-216709 | 処理装置および処理方法 | 2012年11月 8日 | |
再表 2010-134346 | 成膜方法及び成膜装置 | 2012年11月 8日 | |
特開 2012-212899 | Cu膜の形成方法 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-212820 | 透明導電膜の作成方法 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-211395 | 成膜装置 | 2012年11月 1日 | |
特開 2012-208007 | 含水量の測定方法 | 2012年10月25日 | |
特開 2012-207307 | 成膜装置及び成膜方法 | 2012年10月25日 | |
再表 2010-125801 | ZnO−Ga2O3系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 | 2012年10月25日 | |
再表 2010-125836 | 光照射装置の光照射方法及び光照射装置 | 2012年10月25日 | |
再表 2010-123004 | 真空蒸着システム及び真空蒸着方法 | 2012年10月25日 | |
特開 2012-207310 | 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | 2012年10月25日 | |
特開 2012-201910 | マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置 | 2012年10月22日 | |
特開 2012-204655 | NiSi膜の形成方法、シリサイド膜の形成方法、シリサイドアニール用金属膜の形成方法、真空処理装置、及び成膜装置 | 2012年10月22日 |
339 件中 61-75 件を表示
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2012-219330 2012-219321 2012-216709 2010-134346 2012-212899 2012-212820 2012-211395 2012-208007 2012-207307 2010-125801 2010-125836 2010-123004 2012-207310 2012-201910 2012-204655
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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