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インフィネオン テクノロジーズ アーゲー
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第993位 27件
（
2017年：第1110位 27件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1089位 18件
（
2017年：第872位 25件）
（ランキング更新日：2025年6月10日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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インフィネオン テクノロジーズ アーゲーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2018-101799 | 半導体基板配列、および半導体基板配列の形成方法 | 2018年 6月28日 | |
| 特開 2018-77835 | システムオンチップの完全性検証の方法及びシステム | 2018年 5月17日 | |
| 特開 2018-78283 | ストライプ状トレンチゲート構造とゲートコネクタ構造とを有する半導体装置 | 2018年 5月17日 | |
| 特開 2018-67909 | アナログ／デジタル変換用のシステム及び方法 | 2018年 4月26日 | |
| 特開 2018-64453 | 整流装置と整流器構成 | 2018年 4月19日 | |
| 特開 2018-44951 | 位相雑音試験能力を備えた集積ＲＦ回路 | 2018年 3月22日 | |
| 特開 2018-45685 | 異なる信頼性を有するメモリ | 2018年 3月22日 | |
| 特開 2018-37648 | 有向イオンビームの使用による電極トレンチの形成とトレンチ電極構造を有する半導体素子 | 2018年 3月 8日 | |
| 特開 2018-37649 | ドリフト空間にｐ層を有するｎチャネルバイポーラパワー半導体素子 | 2018年 3月 8日 | |
| 特開 2018-24580 | 半導体素子、シリコンウエハ、及びシリコンインゴット | 2018年 2月15日 | |
| 特開 2018-14486 | パワー半導体素子を処理するためのエネルギフィルタ | 2018年 1月25日 | |
| 特開 2018-8872 | ＣＺシリコンウエハを製造する方法及び半導体装置を製造する方法 | 2018年 1月18日 |
27 件中 16-27 件を表示
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2018-101799 2018-77835 2018-78283 2018-67909 2018-64453 2018-44951 2018-45685 2018-37648 2018-37649 2018-24580 2018-14486 2018-8872
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