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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第1509位 16件 (2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2015-536520 | 検知増幅器用低電圧電流参照発生器 | 2015年12月21日 | |
特表 2015-536011 | 不揮発性メモリアレイ及びフラクショナルワードプログラミングのための不揮発性メモリアレイを使用する方法 | 2015年12月17日 | |
特表 2015-536047 | 基板ストレッサ領域を有する分割ゲートメモリセル及びその製造方法 | 2015年12月17日 | |
特表 2015-531549 | 単一のポリ層を有する浮遊ゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整列方法 | 2015年11月 2日 | |
特表 2015-529975 | デプレッションモード浮遊ゲートチャネルを備えた分割ゲートメモリセル、及びその製造方法 | 2015年10月 8日 | |
特表 2015-529404 | 拡張ソースドレインMOSトランジスタおよび形成方法 | 2015年10月 5日 | |
特表 2015-526907 | ゲートの下のドーパントの拡散を低減することによるメモリセルの形成方法 | 2015年 9月10日 | |
特表 2015-515710 | センス増幅器のためのトリミング可能な基準発生器 | 2015年 5月28日 | |
特表 2015-515711 | オンザフライ(ON−THE−FLY)でトリミング可能なセンス増幅器 | 2015年 5月28日 | |
特表 2015-515712 | 電流注入検知増幅器を有する不揮発性メモリデバイス | 2015年 5月28日 | |
特表 2015-515748 | 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 | 2015年 5月28日 | |
特表 2015-513221 | 不揮発性メモリアレイに使用するための自己整合スタックゲート構造 | 2015年 4月30日 | |
特表 2015-508566 | カップリングゲートの改善されたストラッピングを有するスプリットゲート型不揮発性浮遊ゲートメモリセルのアレイ | 2015年 3月19日 | |
特表 2015-502000 | フローティングゲートを有する不揮発性メモリセルのデータ保持力を試験する方法 | 2015年 1月19日 | |
特表 2015-501503 | 分離した消去ゲートを有するスプリットゲート型不揮発性浮遊ゲートメモリセルをプログラミングする方法 | 2015年 1月15日 |
16 件中 1-15 件を表示
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2015-536520 2015-536011 2015-536047 2015-531549 2015-529975 2015-529404 2015-526907 2015-515710 2015-515711 2015-515712 2015-515748 2015-513221 2015-508566 2015-502000 2015-501503
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11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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